业精于勤而于捷 闪存系统故障维修 7.1.4NAND闪存结构与性能 ◆NAND闪存的一个重要特点是闪存芯片容量越大，寻 址时间越长。 11 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 11 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.4 NAND闪存结构与性能 NAND闪存的一个重要特点是闪存芯片容量越大，寻 闪存芯片容量越大，寻 址时间越长
业精于勤而装于是 闪存系统故障维修 1.4NAND闪存结构与性能 NAND闪存芯片技术参数 技术指标 技术参数 技术指标 技术参数 芯片型号 HY27UK08BGFM 页随机存取时间 25μs(最大) 存储容量 4GB(4G×8bit) 页顺序存取时间 30ns(最小) 接口位宽 8bit 页编程时间（写） 200μm 页尺寸 (2KB+64B)字节 快速块擦除时间 2ms 块尺寸 (128KB+4KB)字节 写/擦除次数 10万次 阵列大小 (2KB+64B)字节×64页×16384块* 数据保存时间 10年 工作电压 2.7Vm3.6V 芯片封装 48脚TS0P1 12 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 12 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.4 NAND闪存结构与性能 NAND闪存芯片技术参数 技术指标 技术参数 技术指标 技术参数 芯片型号 HY27UK08BGFM 页随机存取时间 25μs（最大） 存储容量 4GB（4G×8bit） 页顺序存取时间 30ns（最小） 接口位宽 8bit 页编程时间（写） 200μm 页尺寸 (2KB+64B)字节 快速块擦除时间 2ms 块尺寸 (128KB+4KB)字节 写/擦除次数 10万次 阵列大小 (2KB+64B)字节×64页×16 384块* 数据保存时间 10年 工作电压 2.7V~3.6V 芯片封装 48脚TSOP1
业精于勤而于 闪存系统故障维修 .4NAND闪存结构与性能 各种非易失性半导体存储器技术比较 技术指标 Flash NV SRAM MRAM FRAM OUM DRAM 非易失性 具备 具备 具备 具备 具备 不具备 读速度 中等 快 快 快 快 中等 写速度 慢 快 快 快 快 中等 随机存取 不支持 支持 支持 支持 支持 支持 写入次数 106 无限 1012 1012 1012 无限 芯片密度 高 低 高 中等 高 中等 读特性 非破坏 非破坏 非破坏 破坏 非破坏 破坏 耗电量 中等 低 中等 低 中等 高 市场应用 主流 成熟 研发中 小量应用 研发中 主流 13 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 13 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.4 NAND闪存结构与性能 各种非易失性半导体存储器技术比较 技术指标 Flash NV SRAM MRAM FRAM OUM DRAM 非易失性 具备 具备 具备 具备 具备 不具备 读速度 中等 快 快 快 快 中等 写速度 慢 快 快 快 快 中等 随机存取 不支持 支持 支持 支持 支持 支持 写入次数 106 无限 1012 1012 1012 无限 芯片密度 高 低 高 中等 高 中等 读特性 非破坏 非破坏 非破坏 破坏 非破坏 破坏 耗电量 中等 低 中等 低 中等 高 市场应用 主流 成熟 研发中 小量应用 研发中 主流
业精于勤而于 闪存系统故障维修 7.1.5 NV SRAMI闪存结构与性能 ◆NV SRAM采用SAM芯片加电池的结构形式，这种设 计方案在主板的CMOS(BIOS参数设置芯片)设置 电路中广泛应用。 锂电池 (PowerCap) DALLAS SEMICONDUCTOR SRAM芯片 DS2030 Contains Lithium Battery DS1644P-120 Do Not Exceed +230"C B求 14 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 14 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.5 NV SRAM闪存结构与性能 NV SRAM采用SAM芯片加电池的结构形式，这种设 计方案在主板的CMOS（BIOS参数设置芯片）设置 电路中广泛应用
业精于勤而于 闪存系统故障维修 7.1.6MRAM闪存结构与性能 ◆MRAM利用电阻随磁化方向变化记录数据，并通过隧 道效应扩大电阻值的差别。 ◆MRAM耗电量低，而且具有高速写入和读取性能，擦 写次数无限制，而且具有存储数据的非易失性，也不 需要刷新操作，速度接近SRAM。 15 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 15 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.6 MRAM闪存结构与性能 MRAM利用电阻随磁化方向变化记录数据 利用电阻随磁化方向变化记录数据，并通过隧 道效应扩大电阻值的差别。 MRAM耗电量低，而且具有高速写入和读取性能，擦 写次数无限制，而且具有存储数据的非易失性，也不 需要刷新操作，速度接近SRAM