业精于勤而于情 闪存系统故障维修 7.1.2闪存存储单元工作原理 ◆MLC通过不同级别的内部电压，在1个存储单元中记 录2组位信息(00、01、11、10) ◆MLC的记录密度比SLC提高了1倍。 ◆但是，MLC电压变化频繁，使用寿命远低于SLC, MLC只能承受约1万次的擦写。 ◆MLC需要更长的读写时间，SLC比MLC要快3倍以上。 6 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 6 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.2 闪存存储单元工作原理 MLC通过不同级别的内部电压，在1个存储单元中记 录2组位信息（00、01、11、10）。 MLC的记录密度比SLC提高了1倍。 但是，MLC电压变化频繁，使用寿命远低于SLC， MLC只能承受约1万次的擦写。 MLC需要更长的读写时间，SLC比MLC要快3倍以上
业精于勤而于情 闪存系统故障维修 7.1.2闪存存储单元工作原理 ◆NAND闪存和NOR闪存都采用MOS晶体管作为基本 存储单元，不同的是构成存储阵列时，采用了不同的 技术方式。 ◆NAND闪存采用“与非”方式构成存储阵列： ◆NOR闪存采用“异或”方式构成储存阵列。 7 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 7 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.2 闪存存储单元工作原理 NAND闪存和NOR闪存都采用MOS晶体管作为基本 存储单元，不同的是构成存储阵列时，采用了不同的 技术方式。 NAND闪存采用“与非”方式构成存储阵列 方式构成存储阵列； NOR闪存采用“异或”方式构成储存阵列 方式构成储存阵列
业精于勤而于 闪存系统故障维修 7.1.2闪存存储单元工作原理 ◆闪存通过在浮空栅极上放置电子和清除电子来表示数 据，浮空栅极中有电子时为“0”，无电子时为“1”。 G(栅极) 氧化绝缘层 金属引线 选择栅极（第2级浮空栅） ONO电介质层 浮空栅极（第1级浮空栅） (源极)S D(漏极) 隧道氧化层 高浓度半导体掺杂区 P型硅衬底 8 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 8 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.2 闪存存储单元工作原理 闪存通过在浮空栅极上放置电子和清除电子来表示数 据，浮空栅极中有电子时为“0”，无电子时为“1
业精于勤而于 闪存系统故障维修 7.1.3NOR闪存结构与性能 ◆NOR闪存电路特点： ◆NOR闪存有独立的数据总线和地址总线，能快速随机 读取数据。 ◆NOR闪存写入数据前，必须先将目标块内所有位都写 为0（擦除操作）。NOR闪存可以单字节写入，但不 能单字节擦除。 ◆NOR闪存传输效率很高，适合存储程序代码，对大型 数据文件应用显得力不从心。 9 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 9 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.3 NOR闪存结构与性能 NOR闪存电路特点： NOR闪存有独立的数据总线和地址总线，能快速随机 读取数据。 NOR闪存写入数据前，必须先将目标块内所有位都写 为0（擦除操作）。NOR闪存可以单字节写入，但不 闪存可以单字节写入，但不 能单字节擦除。 NOR闪存传输效率很高，适合存储程序代码，对大型 数据文件应用显得力不从心
业精于勤而花于捷 闪存系统故障维修 7.1.4 NAND闪存结构与性能 ◆NAND闪存接口位宽为8位或16位。 ◆如韩国现代HY27UKO8BGFM闪存芯片： 总容量为4GB,页面大小为(2KB+64B),8个 I/0接口每次可以传输(2KB+64B)×8=16.5KB 数据。 ◆NAND闪存采用地址/数据总线复用技术，大容量闪 存一般采用32位地址总线。 10 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 10 业精于勤而荒于嬉 7.1 闪存系统故障维修 7.1.4 NAND闪存结构与性能 NAND闪存接口位宽为8位或16位。 如韩国现代HY27UK08BGFM闪存芯片： 总容量为4GB，页面大小为（2KB+64B），8个 I/O接口每次可以传输（2KB+64B）×8=16.5KB 数据。 NAND闪存采用地址/数据总线复用技术，大容量闪 存一般采用32位地址总线