3.1晶体管的开关特性 2.三极管瞬态开关特性 晶体三极管截止和饱和两种工作状态之间的转换需要时间。 1)晶体三极管的开启时间ton：三极管从截止向饱和状态 转换的时间。由延迟时间t。和上升时间t组成，即 ton=td+tro 2)晶体三极管的关闭时间t。f：三极管从饱和向截止状态 转换的时间。由存储时间t、与下降时间t组成，即 toff=ts+tfo
2．三极管瞬态开关特性 晶体三极管截止和饱和两种工作状态之间的转换需要时间。 1）晶体三极管的开启时间ton：三极管从截止向饱和状态 转换的时间。由延迟时间td和上升时间tr组成，即 ton=td+tr。 2）晶体三极管的关闭时间toff ：三极管从饱和向截止状态 转换的时间。由存储时间ts与下降时间tf组成，即 toff=ts+tf。 3.1 晶体管的开关特性
3.1晶体管的开关特性 (a) V2 ICE (b) 下降时间tf: 晶体三极管 的集电极电 延迟时间td:从 流ic从 输入信号正跃变 0.91cs开始， 瞬间开始，到集 下降到 电极电流ic上升 0.11cs所需 到0.1Ics所需的 要的时间 时间。 存储时间ts:从输入 上升时间tr:集电 信号V负跳变瞬间开 极电流ic从0.1Ics开 始，到集电极电流c下 始，上升到0.9Ics所 降至0.91cs所需的时间 需的时间 件官内部电荷建立和消失过程
0 t t VI v1 v2 i c ICEO ICE ICS 0.9ICS 0.1ICS （a） （b） （c） t tr td t s tf 晶体管内部电荷建立和消失过程 延迟时间td：从 输入信号正跃变 瞬间开始，到集 电极电流ic上升 到0.1Ics所需的 时间。 上升时间 tr：集电 极电流ic从0.1Ics开 始，上升到0.9Ics所 需的时间 下降时间tf ： 晶体三极管 的集电极电 流ic从 0.9Ics开始， 下降到 0.1Ics所需 要的时间 存储时间ts：从输入 信号Vi负跳变瞬间开 始，到集电极电流ic下 降至0.9Ics所需的时间 3.1 晶体管的开关特性
3.1晶体管的开关特性 3.1.3关于高低电平的概念及状态赋值 1.关于高低电平的概念 电位指绝对电压的大小，电平指一定的电压范围。 高电平和低电平在数字电路中分别表示两段电压范围。 例：电路中规定高电平为之3V,低电平为≤0.7V。 TTL电路中通常规定高电平的额定值为3V, 但从2V到5V都算高电平；低电平的额定值为0.3V, 但从0V到0.8V都算做低电平
3.1.3关于高低电平的概念及状态赋值 1. 关于高低电平的概念 电位指绝对电压的大小，电平指一定的电压范围。 高电平和低电平在数字电路中分别表示两段电压范围。 例：电路中规定高电平为≥3V，低电平为≤0.7V。 TTL电路中通常规定高电平的额定值为3V， 但从2V到5V都算高电平；低电平的额定值为0.3V， 但从0V到0.8V都算做低电平。 3.1 晶体管的开关特性
3.1晶体管的开关特性 2.逻辑状态赋值 在数字电路中，用逻辑1和逻辑0分别表示输入、输出高电平 和低电平的过程称为逻辑赋值。 ⊙西邹重孝院
2. 逻辑状态赋值 在数字电路中，用逻辑1和逻辑0分别表示输入、输出高电平 和低电平的过程称为逻辑赋值。 3.1 晶体管的开关特性
3.2TTL集成逻辑门 是由T3、 3.2.1TTL逻辑门电路 D4、T4和 R4构成的一 个非门。输 R2 出级采用的 1.TTL与非门电路 4K2 1 推挽结构， 使T3、T4 (1)电路组成 轮流导通 输入级是由多发射极 Ao T T2 晶体管T1和电阻R1 Bo 组成的一个与门，其 C。 功能是实现输入逻辑 变量A、B、C的与 中间级是由T2、R2及R3 运算。 组成的一个电压分相器， 它在T2的发射极与集电极 上分别得到两个相位相反 的电压信号，用来控制输 出级晶体管T3和T4的工 作状态，使它们轮流导通
3.2.1 TTL逻辑门电路 1. TTL与非门电路 A B C 导 +5V导 T1 T2 Y T3 T4 R1 R2 R3 D4 R4 4K Vcc 1.6K 130K 1K 输入级是由多发射极 晶体管T1和电阻R1 组成的一个与门，其 功能是实现输入逻辑 变量A、B、C的与 运算。 中间级是由T2、R2及R3 组成的一个电压分相器， 它在T2的发射极与集电极 上分别得到两个相位相反 的电压信号，用来控制输 出级晶体管T3和T4的工 作状态，使它们轮流导通。 是由 T3、 D4、T4和 R4构成的一 个非门。输 出级采用的 推挽结构， 使T3、T4 （1 轮流导通 3.2 TTL集成逻辑门