3.晶体中的缺陷 3.1本征缺陷 a CI a CI- 2 弗伦科尔缺陷 肖得基缺陷
3. 晶体中的缺陷 3.1 本征缺陷 弗伦科尔缺陷 肖得基缺陷
● 3.2杂质缺陷 。④。8·。8。 ● 0 。④。0④0。@。 质原 000000 0006.0 ● 000.00 N型半导体 00000 000000 奈颜峡第 扩数运 自出电了 (aP区与N区中我流子的扩散运动 PN结的形成
3.2 杂质缺陷
3.3非化学计量比化合物 M X X M- X X- M M X M X M X M X好 x- M- X- M 图540负离子过剩型站构 图539 正离子空位使负离 (以间隙负离子存在， 子过菊的缺陷示意图 f·=h) (3=h)
3.3 非化学计量比化合物
4.晶体的分类 ■按照格点间作用力的类型分为： 金属晶体 金属键 Fe 离子晶体 离子键 NaCl ■ 原子晶体 共价键 金刚石 ■分子晶体 分子间作用力 干冰 ■) 混合晶体 多种作用力存在石墨
4. 晶体的分类 ◼ 按照格点间作用力的类型分为： ◼ 金属晶体 金属键 Fe ◼ 离子晶体 离子键 NaCl ◼ 原子晶体 共价键 金刚石 ◼ 分子晶体 分子间作用力 干冰 ◼ 混合晶体 多种作用力存在 石墨
二、金属晶体 ■ 晶格质点（金属原子）之间以金属键结合。 ■金属键没有方向性没有饱和性 ■ 每一个金属原子周围尽可能与邻近原子紧密堆积 在一起，以使体系的能量最低。 特征：有金属光泽；导电；导热；延展性好；
二、金属晶体 ◼ 晶格质点（金属原子）之间以金属键结合。 ◼ 金属键没有方向性没有饱和性 ◼ 每一个金属原子周围尽可能与邻近原子紧密堆积 在一起，以使体系的能量最低。 特征：有金属光泽；导电；导热；延展性好；