结型场效应管的缺点 1.栅源极间的电阻虽然可达107以上,但在 某些场合仍嫌不够高。 2.在高温下,PN结的反向电流增大,栅源 极间的电阻会显著下降 3.栅源极间的PN结加正向电压时,将出现 较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题
11 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在 某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现 较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源 极间的电阻会显著下降
§4.1.2绝緣栅场效应管(MOS) 绝缘栅型场效应三极 MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型→N沟道、P沟道 耗尽型→N沟道、P沟道
12 绝缘栅型场效应三极MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 → N沟道、P沟道 耗尽型 → N沟道、P沟道 § 4.1.2 绝缘栅场效应管（MOS)
N沟道增强型 MoSFet 1结构 G D Sio 2 P衬底 N沟道箭头向里
13 一 N沟道增强型MOSFET 1 结构
2工作原理 )Js=0V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管,在D S之间加上电压不会在D、S间形成电流 (2)Gs>VGs(由>0时,形成导电沟道 S1○2 P衬底 电子 0空穴 反 -负离子B 型 14
14 2 工作原理 (1) VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D 、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 (2) VGS> VGS（th)>0时，形成导电沟道 反 型 层