LessonFour8·低温回复(0.1~0.2Tm)移至晶界、位错处消失空位十间隙原子机理：点缺陷运动缺陷密度降低空位聚集（空位群、对）130±5/8124大7MEBEIUNITEO UNIVERSITY
Lesson Four 2025/8/24 7 • 低温回复（0.1~0.2Tm） 机理：点缺陷运动 移至晶界、位错处 空位＋间隙原子 空位聚集（空位群、对） 消失 缺陷密度降低
LessonFour：8中温回复(0.2~0.3Tm) :异号位错相遇而抵销位错滑移位错缠结重新排列位错密度降低亚晶粒长大高温回复（0.3~0.5Tm）：位错攀移（十滑移）一位错垂直排列（亚晶界）一→多边化（亚晶粒）一弹性畸变能降低130±5/8124大学8MEBEIUNITEOUNIVERSITY
Lesson Four 2025/8/24 8 中温回复（0.2~0.3Tm）： 位错滑移 异号位错相遇而抵销 位错缠结重新排列 亚晶粒长大 位错密度降低 高温回复（0.3~0.5Tm）： 多边化（亚晶粒） 位错攀移（＋滑移） 位错垂直排列（亚晶界） 弹性畸变能降低
LessonFour1b)a)多边形化前、后刃型位错的排列情况130#5/8124大学9MEBELUNITEO UNIVERSITY
Lesson Four 2025/8/24 9 多边形化前、后刃型位错的排列情况
LessonFour63.3.2再结晶·在再结晶阶段，首先是在畸变度大的区域产生新的无畸变晶粒的核心，然后逐渐消耗周围的变形基体而长大，直到形变组织完全改组为新的、无畸变的细等轴晶粒为止。130起5/8124大号10MEBEIUNITEOUNIVERSITY
Lesson Four 2025/8/24 10 3.3.2 再结晶 • 在再结晶阶段，首先是在畸变度大的区域 产生新的无畸变晶粒的核心，然后逐渐消 耗周围的变形基体而长大，直到形变组织 完全改组为新的、无畸变的细等轴晶粒为 止
LessonFour(a)(b)(c)(d)(e)(f)130±5/8124大11MEBEIUNITEO UNIVERSITY
Lesson Four 2025/8/24 11