第3章正弦渡振猛器“ 第3章正弦波振荡器 3.7寄生振荡、间歇振荡和频率占据 37.1寄生振荡 3.72间歇振荡 3.73频率占据
第 3 章 正弦波振荡器 3.7 寄生振荡、间歇振荡和频率占据 3.7.1 寄生振荡 3.7.2 间歇振荡 3.7.3 频率占据
第3章正弦波振器 寄生振荡、间歇振荡和频率占据是不希望出现的电路 现象。一旦产生将破坏电路的正常工作。下边讨论它产生 的原因和预防措施。 3.7.1寄生振荡 、产生原因 电路中一些集中参数及分布参数形成寄生振荡回路 产生自激振荡。 二、抑制措施 破坏寄生振荡回路的振荡条件
寄生振荡、间歇振荡和频率占据是不希望出现的电路 现象。一旦产生将破坏电路的正常工作。下边讨论它产生 的原因和预防措施。 3.7.1 寄生振荡 一、产生原因 电路中一些集中参数及分布参数形成寄生振荡回路， 产生自激振荡。 二、抑制措施 破坏寄生振荡回路的振荡条件
第3章正弦渡振猛器 ①低频寄生振荡回路一般由高频扼流圈、隔直电容或 旁路电容构成。要消除这种低频振荡的常用措施是: 合理选择扼流圈的电感量或旁路电容的电容量,高频 扼流圈串接小电阻或并接大电阻。 ②超高频寄生振荡是由电路中的分布参数(引线电感, 极间电容)构成。要消除这类振荡的常用措施是 粗短的引线,贴片元件,基极,集电极串小无感电阻, 隔直、旁路电容上并小电容。 ③电源加去耦电路
① 低频寄生振荡回路一般由高频扼流圈、隔直电容或 旁路电容构成。要消除这种低频振荡的常用措施是： 合理选择扼流圈的电感量或旁路电容的电容量，高频 扼流圈串接小电阻或并接大电阻。 ② 超高频寄生振荡是由电路中的分布参数(引线电感， 极间电容)构成。要消除这类振荡的常用措施是： 粗短的引线，贴片元件，基极，集电极串小无感电阻， 隔直、旁路电容上并小电容。 ③ 电源加去耦电路
今第3章正弦渡振器“ 3.72间歇振荡 振荡→停振→振荡…,这样现象称为间歇振荡。 、产生原因 当输入端作用着振荡电+ 压v1时,晶体管经历了导通和 R BB 截止两个过程,导通时,发"( R E E 射极电流向CE充电;截止时, C向放电,充电电阻远小 于。 图3-7-1偏置电路
3.7.2 间歇振荡 振荡 → 停振 → 振荡 ，这样现象称为间歇振荡。 一、产生原因 当输入端作用着振荡电 压vi 时,晶体管经历了导通和 截止两个过程，导通时，发 射极电流向CE 充电；截止时， CE 向RE 放电，充电电阻远小 于RE
今第3章正弦波振猛器 如果CBC取值过大,电容充电快,放电慢。振荡器起 振后,振幅增大,偏置电压向负值方向增大,使振幅减小, 直到停振。停振后,偏置电压向正值方向增大,达到一定 数值后,振荡器右开始起振。振荡波形如图。 「 图3-7-2间歇振荡波形 二、预防措施 Cg,CE取值不宜过大,可增大Q值
如果 CB, CE 取值过大，电容充电快，放电慢。振荡器起 振后，振幅增大，偏置电压向负值方向增大，使振幅减小， 直到停振。停振后，偏置电压向正值方向增大，达到一定 数值后，振荡器右开始起振。振荡波形如图。 二、预防措施 CB ,CE 取值不宜过大，可增大 Q 值