第四章电子显微分析1、透射电子显微分析（TEM）第一节电子与固体作用产生的信号p43-46第二节工作原理及构造*p136~p142第三节样品制备p145~148第四节基本成像操作及相衬度*p149~151第五节典型应用*及其他功能简介p155~161
1 第四章 电子显微分析 1、透射电子显微分析（TEM） 第一节 电子与固体作用产生的信号p43-46 第二节 工作原理及构造*p136~p142 第三节 样品制备p145~148 第四节 基本成像操作及相衬度*p149~151 第五节 典型应用*及其他功能简介p155~161
主要内容1*第一节电子束与材料的相互作用散射、电子与固体作用产生的信号#电子激发产生的其他现象(自学)、离子束与材料的相互作用(散射、溅射与二次离子)
2 主要内容 l *第一节 电子束与材料的相互作用 散射、电子与固体作用产生的信号# 、 电子激发产生的其他现象(自学)、离 子束与材料的相互作用（散射、溅 射与二次离子）
1.1、电子与固体作用产生的信号①1.电子与固体作用产生的信号①2.电子非弹性散射平均自由程和信息深度03.电子能谱3
3 1.1、电子与固体作用产生的信号 Ø1.电子与固体作用产生的信号 Ø2.电子非弹性散射平均自由程和信 息深度 Ø3.电子能谱
1．电子与固体作用产生的信号表面元素发射的总强度Ie背散射电子流X射线二次电子流IIk样品吸收电流透射电子流图3-3入射电子束与固体作用产生的发射现象
4 1. 电子与固体作用产生的信号 图3-3 入射电子束与固体作用产生的发射现象 背散射电子流 二次电子流 X射线 表面元素发射的总强度 透射电子流 样品吸收电流
I表示二次电子流，它包括（真）二次电子和特征二次电子（俄歇电子），从表面发射出去的二次电子流与入射电子流的比值（IJI）称为二次电子产额，用口表示。a&r8Ec:Ec2Eo二次申子产额与电子能量和入射角的普遍关系5
5 I S表示二次电子流，它包括（真）二次电子和特征二次电 子（俄歇电子），从表面发射出去的二次电子流与入射 电子流的比值（I S /I 0）称为二次电子产额，用 表示。 二次电子产额与电子能量和入射角的普遍关系