Pe123电力二极管的主要参数 5)最高工作结温TM ●结温是指管芯PN结的平均温度,用T表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高 平均温度。 TJM通常在125~175°C范围之内 6)浪涌电流sM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频 周期的过电流。 电力电子技术 http:/pel-course.jtu.edu.cn 1-21
1-21 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高 平均温度。 TJM通常在125~175C范围之内。 6) 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频 周期的过电流。 1.2.3 电力二极管的主要参数 5）最高工作结温TJM
Pee124电力二极管的主要类型 按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能, 特别是反向恢复特性的不同介绍。 1)普通二极管( General Purpose diode) 又称整流二极管( Rectifier diode) ●多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路 其反向恢复时间较长 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高 ● DATASHEET 电力电子技术 http:/pel-course.xjtu.edu.cn
1-22 1) 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路 其反向恢复时间较长 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高 DATASHEET 按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能， 特别是反向恢复特性的不同介绍。 1.2.4 电力二极管的主要类型
=124电力二极管的主要类型 2)快恢复二极管 (Fast Recovery Diode--FRD) 中简称快速二极管 中快恢复外延二极管 ( Fast Recovery Epitaxial Diodes—FRED),其 t更短(可低于50ns),∥也很低(0.9V左右), 但其反向耐压多在1200V以下。 中从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 前者t为数百纳秒或更长,后者则在100n以下, 甚至达到20~30ns。 中 DATASHEET123 电力电子技术 http:/pel-course.jtu.edu.cn 1-23
1-23 简称快速二极管 快恢复外延二极管 （Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），其 t rr更短（可低于50ns）， UF也很低（0.9V左右）， 但其反向耐压多在1200V以下。 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 前者t rr为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下， 甚至达到20~30ns。 DATASHEET 1 2 3 1.2.4 电力二极管的主要类型 2) 快恢复二极管 （Fast Recovery Diode——FRD）
Pee124电力二极管的主要类型 3肖特基二极管 DATASHEET) 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖 特基势垒二极管( Schottky Barrier Diode—-SBD)。 ●肖特基二极管的弱点 反向耐压提高时正向压降会提高,多用于200V以下 ⊕反向稳态损耗不能忽略,必须严格地限制其工作温度。 ●肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短(10-40ns)。 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 ⊕反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 ⊕效率高,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小 电力电子技术 http:/pel-course.jtu.edu.cn 1-24
1-24 肖特基二极管的弱点 反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。 反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（10~40ns）。 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。 1.2.4 电力二极管的主要类型 3. 肖特基二极管(DATASHEET) 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖 特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode ——SBD）
Pe1.3半控器件一晶闸管 131晶闸管的结构与工作原理 132晶闸管的基本特性 13.3晶闸管的主要参数 134晶闸管的派生器件 电力电子技术 http:/pel-course.xjtu.edu.cn 1-25
1-25 1.3 半控器件—晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件