非晶态磁光记录介质的优点是:不存在晶界等 相对于磁畴的障碍物,不产生反转磁畴的变形 等。多晶体的MnB的克尔旋转角大,是很有吸 引力的材料,但由于多晶体再生时,造成较大 的噪音,作为第一代光磁记录介质未被采用, 最近又重新引起人们的兴趣 为了保存大量信息,需要高密度、高速度、高 效率、低价格的记录与存储。因此目前磁光盘 正与磁记录、相变型可重写光盘处于激烈的竞 争中。于是人们正在开发进行磁光盘用新型记 录介质的开发(例如:金属超晶格多层膜、磁 性石榴石等)
非晶态磁光记录介质的优点是：不存在晶界等 相对于磁畴的障碍物，不产生反转磁畴的变形 等。多晶体的MnBi的克尔旋转角大，是很有吸 引力的材料，但由于多晶体再生时，造成较大 的噪音，作为第一代光磁记录介质未被采用， 最近又重新引起人们的兴趣。 为了保存大量信息，需要高密度、高速度、高 效率、低价格的记录与存储。因此目前磁光盘 正与磁记录、相变型可重写光盘处于激烈的竞 争中。于是人们正在开发进行磁光盘用新型记 录介质的开发（例如：金属超晶格多层膜、磁 性石榴石等）
2.电流磁气效应 物质中流过电流的同时,施加磁场时所显示出 的物理现象。这种效应表现为电动势E的变化 般说来,该电动势表现为下述3项之和: 与磁场H无关系的项:为电阻R所产生的电动 势,符合欧姆定律(E。=RD。 霍尔电动势项:一般情况下,与磁场强度成正 比,称为霍尔效应(与ⅠH成正比) 磁致电阻电动势项:与H(成正比,称为磁 致电阻效应
2. 电流磁气效应 物质中流过电流的同时，施加磁场时所显示出 的物理现象。这种效应表现为电动势E的变化。 一般说来，该电动势表现为下述3项之和： 与磁场H无关系的项：为电阻R所产生的电动 势，符合欧姆定律（E0=RI)。 霍尔电动势项：一般情况下，与磁场强度成正 比，称为霍尔效应(与IH成正比)。 磁致电阻电动势项：与H(I•H)成正比，称为磁 致电阻效应
霍尔效应:在于电流垂直的方向施加磁场,则在垂直于 电流轴和磁场轴所组成的平面的方向上产生电位差。这 种电位差为霍尔电压。霍尔元件(磁传感器), InSb,GaAs半导体元件已实用化。 磁致电阻效应:施加磁场使物质电阻发生变化的现象称 为磁致电阻效应。包含两项:与磁场强度H有关(正常 磁致电阻效应)和与磁化强度相关(异常磁致电阻效 应),其中第二项贡献最大。 各向异性磁致电阻效应:电阻率变化与磁化方向相关。 高灵敏度读取用的MR磁头,就是利用这种效应。 利用该效应的材料有:巨磁致电阻效应材料、超巨磁致 电阻效应材料
霍尔效应：在于电流垂直的方向施加磁场，则在垂直于 电流轴和磁场轴所组成的平面的方向上产生电位差。这 种电位差为霍尔电压。霍尔元件（磁传感器）， InSb,GaAs半导体元件已实用化。 磁致电阻效应：施加磁场使物质电阻发生变化的现象称 为磁致电阻效应。包含两项：与磁场强度H有关（正常 磁致电阻效应）和与磁化强度相关（异常磁致电阻效 应），其中第二项贡献最大。 各向异性磁致电阻效应：电阻率变化与磁化方向相关。 高灵敏度读取用的MR磁头，就是利用这种效应。 利用该效应的材料有：巨磁致电阻效应材料、超巨磁致 电阻效应材料
Ettinghausen效应:沿着霍尔电压方向产生温度 梯度的现象。 Nerst效应:在与电流垂直方向施加磁场,沿电 流方向产生温度梯度的现象。 磁各向异性:一般情况下,在铁磁体中存在着取 决于自发磁化方向的自由能,自发磁化向着该能 量取最小值的方向是最稳定的。而要向其他方向 旋转,能量会增加。 磁致伸缩效应: (利用这一效应可以使磁能转变为机械能,而逆 效应可以使机械能转变为磁能。可以制作能量转 换器件,电气音响转换器件
Ettinghausen效应：沿着霍尔电压方向产生温度 梯度的现象。 Nerst效应：在与电流垂直方向施加磁场，沿电 流方向产生温度梯度的现象。 磁各向异性：一般情况下，在铁磁体中存在着取 决于自发磁化方向的自由能，自发磁化向着该能 量取最小值的方向是最稳定的。而要向其他方向 旋转，能量会增加。 磁致伸缩效应： （利用这一效应可以使磁能转变为机械能，而逆 效应可以使机械能转变为磁能。可以制作能量转 换器件，电气音响转换器件
74磁光效应材料与记录原理 磁盘由在圆盘状基表面附着磁记录介质 层构成。 由于其高存储容量、随机存取容易、迅 速等优点,已成为数字式记录、存储媒 体的主要形式。 记录密度与激光波长的关系: 激光光斑直径与波长的关系: D约与波长成正比
7.4 磁光效应材料与记录原理 磁盘由在圆盘状基表面附着磁记录介质 层构成。 由于其高存储容量、随机存取容易、迅 速等优点，已成为数字式记录、存储媒 体的主要形式。 记录密度与激光波长的关系： 激光光斑直径与波长的关系： D约与波长成正比