第五章半导体存储器及其应用 51随机读写存储器RAM 5-2只读存储器ROM 53存储器的连接
第五章 半导体存储器及其应用 5-1 随机读写存储器RAM 5-2 只读存储器ROM 5-3 存储器的连接
半导体存储器的分类 该写存储器 MOS= 掩膜R0M 何绵程ROM 只该存储器 光PRM 电PRM
一．半导体存储器的分类
5-1随机读写存储器 存储器中的信息可读可写,但失电后会丢失信息。 1.双极型 速度快。 2.M0S型: 度高、功 预充电 耗低。 T 读选线 SRAM:静 可带电信 息可长 DRAM动态 写选线 电路。 集成度高 写数据 读数据 图5-1-5三态MOs动态存储单元电路
DRAM动态RAM：使用电容作存储元件，需要刷新电路。 集成度高，反应快，功耗低，但需要刷新电路。 5-1 随机读写存储器 存储器中的信息可读可写，但失电后会丢失信息。 1.双极型：由TTL电路组成基本存储单元，存取速度快。 2.MOS型：由CMOS电路组成基本存储单元，集成度高、功 耗低。 SRAM：静态RAM。存储单元使用双稳态触发器，可带电信 息可长期保存
存储器结构框图 存储器外部信号引线: D~数据线:传送存储单元内容。 根数与单元数据位数相同。 Ao~g地址线:选择芯片内部一个存储单元 根数由存储器容量决定 CS片选线: 0 地 址 选择存储器芯片, 82 驱动 A3 存储矩阵 当CS信号无效,A 码器 态緩冲器 器「七 其他信号线不起作用。 Y驱动器读写 R/W(OE/wE)读写允许线 [控制 Y地址译码器 打开数据通道,决定数据的传个个个不 A &&8 A csR/w
三．存储器外部信号引线： D0～7数据线：传送存储单元内容。 根数与单元数据位数相同。 A0～9地址线：选择芯片内部一个存储单元。 根数由存储器容量决定。 二．存储器结构框图 R/W(OE/WE)读写允许线 打开数据通道，决定数据的传 送方向和传送时刻。 CS片选线： 选择存储器芯片。 当CS信号无效， 其他信号线不起作用
二.存储器结构框图 存储器内部为双向地址译码,以节省内部引线和驱动器 如:1K容量存储器,有10根地址线。 单向译码需要1024根译码输出线和驱动器。 双向译码X、Y方向 地 各为32根译码输出线一址! IKB 和驱动器, 83 译|动存储矩阵 码□器 态缓冲器 总共需要64根译码 器「凵 线和64个驱动器。 Y驱动器 速写 控制 Y地址译码器 A. && A CS RW
二．存储器结构框图 存储器内部为双向地址译码，以节省内部引线和驱动器 单向译码需要1024根译码输出线和驱动器。 如：1K容量存储器，有10根地址线。 双向译码 X、Y方向 各为32根译码输出线 和驱动器， 总共需要64根译码 线和64个驱动器