5-1-1静态 RAM Inte16116、6264 vcc 饷 E WE AO WE AO WE A10 07c A1a 97 vcc B GND GND 00 07 A10 的16 07 l02 04 00 06 QND=1213 02 14 03 圈5-3-1l6116和6264的管脚及湲辑符号 工作方式 CS OE WE D 读 0 0 OUT 0 0 IN 匚禁止1××乙
5-1-1 静态RAM Intel 6116、6264 工作方式 CS OE WE Di 读 0 0 1 DOUT 写 0 1 0 DIN 禁止 1 × × Z
5-2只读存储器(ROM) 工作时,ROM中的信息只能读出,要用特殊方式写入 (固化信息),失电后可保持信息不丢失 1.掩膜ROM:不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜 工艺写入信息,用户只可读 2.PROM:可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连,当 加入写脉冲,某些存储单元熔丝熔断,信息永久写入, 不可再次改写
5-2 只读存储器（ROM） 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入 (固化信息)，失电后可保持信息不丢失。 1.掩膜ROM：不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜 工艺写入信息，用户只可读。 2.PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当 加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入， 不可再次改写
5-2只读存储器(ROM 3. EPROM:可擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后,某些存储单 元的N结表面形成浮动栅,阻挡通路,实现信息写入。 用紫外线照射可驱散浮动栅,原有信息全部擦除,便 可再次改写。 4. EEPROM:可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除,可在线擦除信息,又 能失电保存信息,具备RAM、ROM的优点。但写入时间 较长
5-2 只读存储器（ROM） 3.EPROM：可擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单 元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。 用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便 可再次改写。 4.EEPROM：可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又 能失电保存信息，具备RAM、ROM的优点。但写入时间 较长
5-2-1 EPROM2716 A 7 A[工作方式VP3OE|Dd Ag 读+5y00D Va2工 OUT 2716。E +5v01 EPROM A/L待机 禁止+57102 写入+2[「1Dn ADDD D编 0/程校验 +25v 0D OUT D 禁止+25y 00 2 G
5-2-1 EPROM 2716
5-2-2 EEPROM2816 图S-2-22816就脚 数据输入/输出 和动能 24Vcc GND WEVE ttt tf 输出允许,片选 8 片选和E/W理辑 输入输出 A 9 缓冲器 MA~AY译码 Y-门控 28160E地址希 A 16381bit 译码 存储矩阵 CE A EEPROM 2816工作方式 16/○ CE(V OE(V pp()输入输出 18 20) (21) 读方式 IL VI +4-+6 D OuT 备用方式ⅤD 无关 +4-+6 高 44「字节除」V +21 DIE VDO GND-12 「字节写 2O3[冷 V江 +21 +9+15 +21 DIN VDI EW禁止|vD 无关 4-+22 高阻
5-2-2 EEPROM 2816