《电子线路》 第一章 晶体二极管

第1章晶体二极管 >杂质半导体中载流浓度计算 N型半导体了0Pn0=n(质量作用定理) n0p=Na+pn0≈N(电中性方程) P型半导体{no=n2 n 0≈N 多子浓度取决于掺杂浓度。 杂质半导体呈电中性 少子浓度取决于温度 制作:大连海事大学研究室

➢ 杂质半导体中载流浓度计算 N 型半导体 2 nn0 pn0 = ni (质量作用定理) n0 d n0 Nd n = N + p  (电中性方程) P 型半导体 2 p0np0 ni p = pp0 = Na + np0  Na 杂质半导体呈电中性 少子浓度取决于温度。 多子浓度取决于掺杂浓度。 第 1 章 晶体二极管

第1章晶体二极管 1.13两种导电机理漂移和扩散 ◇漂移与漂移电流 载流子在电场作用下的运动称漂移运动,所形成的 电流称漂移电流。 E 漂移电流密度 迁移率 t=-(pUne 总漂移电流密度: Jpt +Unt= Eq(Pup+nun) 制作:大连海事大学研究室

1.1.3 两种导电机理——漂移和扩散 漂移与漂移电流 载流子在电场作用下的运动称漂移运动，所形成的 电流称漂移电流。 漂移电流密度 Jpt = qpp E Jnt = −(−q) pn E 总漂移电流密度： ( ) Jt = Jpt + Jnt = Eq p P + nn 迁移率 第 1 章 晶体二极管

第1章晶体二极管 半导体的电导率 电场E 截面积S长度l 电压:V=EI 电流:I=SJ 电阻 RV EL S 电导率: p eq(pu+nun 制作:大连海事大学研究室

➢ 半导体的电导率 电压： V = E l 电流： I = S Jt + - V 截面积 S 长度 l 电场 E I 电阻： S l J S El I V R = = =  t 电导率： ( ) 1 p n t     q p n E J = = = + 第 1 章 晶体二极管

第1章晶体二极管 扩散与扩散电流 载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动,所形成 的电流称扩散电流。 光照 N型硅 扩散电流密度: 载流子浓度 ip(x) L=-qDp ax p(r) Und=-(qD dn(r) 制作:大连海事大学研究室

载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成 的电流称扩散电流。 扩散电流密度： x p x J qD d d ( ) pd = − p x n x J q D d d ( ) ( ) nd = − − n ➢ 扩散与扩散电流 光照 N 型 硅 n(x) p(x) 载流子浓度 x n0 p0 第 1 章 晶体二极管