3.VI特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ip=f(Ups)vcs-comst. 预夹断临界点轨迹 ip/mA UDS=VGS-VT(UGD=UGS-UDS=VT) ①截止区 A 7V 8 可变电阻区 饱和区 当ocs<V时，导电沟道尚 6V 6 B 未形成，in=0,为截止工 5V 4 C 作状态。 4V D UGS=3 V E 截止区、 10 15 20 UDs/V
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 D DS G const. S ( ) v v i f ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚 未形成，iD ＝0，为截止工 作状态
3.VI特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ip=f(Ups)vcs-comst. 预夹断临界点轨迹 ip/mAl UDs=VGS-VT(UGD=UGS-UDs=VT) ②可变电阻区 8 可变电阻区A 7V ves>V,且vs≤(es-Vr) 饱和区6V 6 B iD =Kn[2(UGS -VT)UDs -Ups] 5V 4 C 4V 由于vDs较小，可近似为 D UGs=3 V in≈2Kn(ocs-Vr)vDs E 截止区 0 10 15 20 UDs/V dUps 1 dip 2K(UGs-VT) rs是一个受vcs控制的可变电阻 0cs=常数
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 D DS G const. S ( ) v v i f ② 可变电阻区 [2( ) ] 2 D n GS T DS DS i K v V v v 由于vDS较小，可近似为 D n GS T DS i 2K (v V ) v 常数 GS D DS dso d d v v i r ( ) Kn GS VT 2 v 1 rdso是一个受vGS控制的可变电阻 vGS >VT，且vDS≤（vGS－VT）
3.I特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ②可变电阻区 预夹断临界点轨迹 ip/mA ip 2Kn(UGS -VT)UDs UDs=VGS-VT(UGD=UGS-UDs=VT) 7V 1 8 可变电阻区A raso=2Kn(cs-V) 饱和区 6V B 5V 其中 K=.=C 4 4V D UGS=3 V E 截止区 4：反型层（沟道)中电子 10 15 20 UDS/V 迁移率 K=4Cox本征电导因子 Cx：栅氧化层单位面积电 容 Kn为电导常数，单位：mA/2
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 D n GS T DS i 2K (v V ) v ( ) n GS T dso K V r 2 v 1 n：反型层（沟道）中电子 迁移率 Cox ：栅氧化层单位面积电 容 Kn μnCox 本征电导因子 L μ C W L K W K 2 2 n n ox n 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2
3.VI特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ③饱和区 预夹断临界点轨迹 (恒流区又称线性放大区) ip/mAl UDs=VGS-VT(UGD=UGS-UDS=VT) 小A wcs>Vx,且s≥(es-Vr) 8 可变电阻区 7V 饱和区 6V 6 B I特性： 5V C ip =Kn(UGs-VT)2 4V D UGS=3 V =K跨- E 截止区、 10 15 20 Ups/V -lm管-
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 （恒流区又称线性放大区） vGS >VT，且vDS≥（vGS－VT） 2 ( ) D Kn GS VT i v 2 2 ( 1) T GS n T V K V v 2 ( 1) T GS DO V I v V-I 特性：
3.I特性曲线及大信号特性方程 (2)转移特性 预夹断临界点轨迹 ip=f(Vs)vo-cond ip/mA UDs=UGS-VT(UGD=UGS-UDS=VT) in=lo管-o≤nst P 可变电阻区 A 7V 饱和区6V 6 B in≈2K.(cs-Vr)UDS VGS≥Ds+VT 5V C ip/mA 4V 8 UGs=3 V B 截止区 0 10 15 20 UDS/V UDs=10V D E 5 67 UGs/V
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 D GS D const. v S i f ( v ) 2 ( 1) T GS D DO V i I v vGS≤ vDS+VT D n GS T DS i 2K (v V ) v vGS≥vDS+VT