5.1.1N沟道增强型MOSFET 2.工作原理 ID-0 铝 (1)vGs对沟道的控制作用 二氧化硅 当Vcs≤0时 无导电沟道，d、s间加电压时，也 无电流产生。 耗尽层 当0<vcs〈时 6B衬底引线 产生电场，但因吸引电子数目较少，故 仍未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加 D三0 电压后，没有电流产生。 当vcs≥时 在电场作用下形成导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 耗尽层N型（感生）沟道 vcs越大，导电沟道越厚，电流越大。 P ?称为开启电压 6B衬底引线
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生。 当0<vGS <VT 时 产生电场，但因吸引电子数目较少，故 仍未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加 电压后，没有电流产生。 当vGS≥VT 时 在电场作用下形成导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚，电流越大
2.工作原理 (2)vns对沟道的控制作用 当cs一定（vcs>)时， GS 迅速 vs个→，个→沟道电位梯度个 增 大 →靠近漏极d处的电位升高 →veml→靠近漏极d处氧化层 内电场强度减小 →靠近漏极d处沟道变薄 N型（感生）沟道 P 整个沟道呈楔形分布 6B衬底引线
2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 靠近漏极d处的电位升高 vGD↓ 靠近漏极d处氧化层 内电场强度减小 靠近漏极d处沟道变薄 当vGS一定（vGS >VT ）时， vDS iD 沟道电位梯度 整个沟道呈楔形分布
2.工作原理 (2)vDs对沟道的控制作用 VDD ● 当vcs一定(vcs>)时， 饱 ns个→，→沟道电位梯度↑ 和 当vos增加到使vcD=时， 在紧靠漏极处沟道出现预夹断。 在预夹断处：cD-Vcs-Ups= 夹断区 B衬底引线
当vGS一定（vGS >VT ）时， vDS iD沟道电位梯度 当vDS增加到使vGD=VT 时， 在紧靠漏极处沟道出现预夹断。 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT
2.工作原理 (2)vs对沟道的控制作用 VDD 预夹断后，vs个(eos-ns<) ip VGG →夹断区延长→沟道电阻个 和 →基本不变 可变 饱和区一 电阻区 Ds≤I'Gs-rlDs≥s-IT B 夹断区 A 预夹断点 UGs=Ias>IT B衬底引线 截止区、Gs<TT Ups
预夹断后，vDS(vGD=vGS-vDS<VT) 夹断区延长 沟道电阻 iD基本不变 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用
2.工作原理 (3) VDs和vGs同时作用时 DD ip vcs一定，Vns变化时： GG 饱 给定一个vcs,就有一条不 同的i-s曲线。 预夹断临界点轨迹 ip/mAl UDs=UGS-VT(UGD-UGS-UDs=VT) 8可变电阻区A 7V 饱和区6V 天断区 6 B 5V ♂B衬底引线 C 4V D UGs=3 V E 截止区 10 15 20 UDs/V
2. 工作原理 （3） vDS和vGS同时作用时 vGS一定，vDS变化时: 给定一个vGS ，就有一条不 同的 iD – vDS 曲线