5.1.2N沟道耗尽型MOSFET 1.结构和工作原理简述(N沟道) g? 掺杂后具有正？d 离子的绝缘层 二 氧化硅 N 衬底 耗尽层 N型沟道 g。 B 6B衬底引线 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理简述（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
5.1.2N沟道耗尽型MOSFET 2. VI特性曲线及大信号特性方程 ip/mA ip/mA UDS=UGS-Vp 可变 电阻区 →十一饱和区一 8 4V 2V 6 6 UGs=0V -2V -4V 一截止区 6 9 1215 UDS/V 6 一4 0 UGs/V in≈1nss1-0cs2 Vp (N沟道耗尽型) V夹断电压 ip =Ipo(as-1) (N沟道增强型) V
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 2 ( 1) T GS D DO V i I v （N沟道增强型） 2 (1 ) P GS D DSS V i I v （N沟道耗尽型） VP夹断电压
5.1.3P沟道MOSFET (a) (b) (a)增强型电路符号 (b)耗尽型电路符号
5.1.3 P沟道MOSFET
5.1.4沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 修正后n=K,Oes-V,P1+0s)=Io Vcs-1)2(1+2wps) 为沟长调制系数(MOSFET尺寸越小，λ越大) ip/mA Ups/V 当不考虑沟道调制效应时，=0，曲线是平坦的
5.1.4 沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 ( ) ( ) D n GS T DS v 1 v 2 i K V ( ) ( ) DS T GS DO v v 1 1 2 V I 当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。 修正后 λ为沟长调制系数（MOSFET尺寸越小，λ越大）