实验原理 PN结的形成及工作原理 当型和N型半导体材料结合时，P型(N 型)材料中的空穴（电子）向N型(P型)材料 这边扩散，扩散的结果使得结合区形成一个势垒 由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行 当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽 区
实验原理 一 PN结的形成及工作原理 当P型和N型半导体材料结合时，P 型（ N 型）材料中的空穴（电子）向N 型（ P 型）材料 这边扩散，扩散的结果使得结合区形成一个势垒， 由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行， 当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽 区
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零偏 负偏 正偏 当PN结反偏时，外加电场与内电场方 向一致，耗尽区在外电场作用下变宽， 使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场 与内电场方向相反，耗尽区在外加电场 作用下变窄，势垒削弱