牢科学技术学院 概述—主要技术指标 存储容量:在一个存储器中可以容纳的存储单元 总数通常称为该存储器的存储容量。1KB=210B 1MB=220B,1GB=230B1TB=240B 存取时间(存储器的访问时间),是指从启动 次存储器操作达到完成该操作所经历的时间。 存储周期:是指连续启动两次读操作所需要间隔 的最小时间。 存储器的带宽:是单位时间里存储器所存取的信 息量。通常以位/秒或字节/秒来表示。 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 11 2021年2月20日1时6分 概述——主要技术指标 • 存储容量：在一个存储器中可以容纳的存储单元 总数通常称为该存储器的存储容量。1KB=210B， 1MB=220B，1GB=230B，1TB=240B • 存取时间（存储器的访问时间），是指从启动一 次存储器操作达到完成该操作所经历的时间。 • 存储周期：是指连续启动两次读操作所需要间隔 的最小时间。 • 存储器的带宽：是单位时间里存储器所存取的信 息量。通常以位/秒或字节/秒来表示
牢科学技术学院 322主存储器的基本结构 主存储器是由存储体加上一些外围电路 构成。外围电路包括地址译码驱动器 数据寄存器和存储器控制电路。 主存储器的基本操作:读操作、写 操作、刷新操作 °CPU的读命令和写命令 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 12 2021年2月20日1时6分 3.2.2主存储器的基本结构 • 主存储器是由存储体加上一些外围电路 构成。外围电路包括地址译码驱动器、 数据寄存器和存储器控制电路。 • 主存储器的基本操作：读操作、写 操作、刷新操作 • CPU的读命令和写命令
牢科学技术学院 随机读写存储器 半导体存储器的优缺点: 优:半导体存储器的优点是存取速度快 存储体积小,可靠高,价格低廉; 缺:断电后存储器不能保存信息 静态MOS存储器 动态MOS存储器 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 13 2021年2月20日1时6分 随机读写存储器 • 半导体存储器的优缺点： • 优：半导体存储器的优点是存取速度快， 存储体积小，可靠高，价格低廉； • 缺：断电后存储器不能保存信息； • 静态MOS存储器 • 动态MOS存储器
牢科学技术学院 随机读写存储器静态Ms存储器 六管静态MOS存储元是由两个MOS反 相器交叉耦合而成的触发器。一个存储元 存一位二进制代码,如果一个存储单元为n 位,则需由n个存储元才能组成一个存储单 U 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 14 2021年2月20日1时6分 随机读写存储器——静态MOS存储器 • 六管静态MOS存储元是由两个MOS反 相器交叉耦合而成的触发器。一个存储元 存一位二进制代码，如果一个存储单元为n 位，则需由n个存储元才能组成一个存储单 元
牢科学技术学院 X地址译码线 导状态 止状态 写操作 日8 写“1”:在I0线上输入高电位,在I/0 线上输入低电位,开启T5,T6T7T8四个晶体 管,把高、低电位分别加在A,B点,使∏管截 止,使T2管导通,将“1”写入存储元 写“0”:在I/0线上输入低电位,在I0 线上输入高电位,打开T5T6T7,T8四个开门 管,把低、高电位分别加在A,B点,使∏管导 通,T2管截止将“0”信息写入了存储元。 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 15 2021年2月20日1时6分 • 写操作 • 写“1”：在I/O线上输入高电位，在I/O 线上输入低电位，开启T5,T6,T7,T8四个晶体 管，把高、低电位分别加在A，B点，使T1管截 止，使T2管导通，将“1”写入存储元. • 写“0”：在I/O线上输入低电位，在I/O 线上输入高电位，打开T5,T6,T7,T8四个开门 管，把低、高电位分别加在A，B点，使T1管导 通，T2管截止,将“0”信息写入了存储元