本节小结 ● 半导体是依靠自由电子和空穴两种载流 子导电的。 ●掺入不同杂质，形成N型和P型半导体。 ● 载流子的两种运动：电场作用下的漂移 运动和浓度差作用下的扩散运动。 36
36 ⚫ 半导体是依靠自由电子和空穴两种载流 子导电的。 ⚫ 掺入不同杂质，形成N型和P型半导体。 ⚫ 载流子的两种运动：电场作用下的漂移 运动和浓度差作用下的扩散运动。 本 节 小 结
1.2PN结与晶体二极管 1.2.1PN结的基本原理 1.2.2晶体二极管 1.2.3晶体二极管应用电路举例 37
37 1.2 PN结与晶体二极管 1.2.1 PN结的基本原理 1.2.2 晶体二极管 1.2.3 晶体二极管应用电路举例
1.2.1 PN结基本原理 1.PN结的形成C扩散 散 P P h 什 什代 代出 出 代出 ●什出什代 朵少 浓度差 空间电荷区 漂移 什 出 eee◆ P 代 e 出 甲 出出 稳定宽度 代出 38
38 1. PN结的形成 1.2.1 PN结基本原理 浓度差 空间电荷区 扩散 扩散 漂移 稳定宽度
1.2.1PN结基本原理 1.PN结的形成 P区的一些空 穴向N区扩散 交界处的浓度差 扩散 扩散电流 N区的一些电 子向P区扩散 P区留下带负 电的受主离子 内建电场 漂移电流→ 动态平衡 N区留下带正 电的施主离子 PN结 39
39 1.PN结的形成 1.2.1 PN结基本原理 交界处的浓度差 扩散 P区的一些空 穴向N区扩散 N区的一些电 子向P区扩散 P区留下带负 电的受主离子 N区留下带正 电的施主离子 内建电场 漂移电流 扩散电流 PN 结 动态平衡
1.2.1 PN结基本原理 1.PN结的形成 N PN结平衡 e UΦ：势垒电压 ●P什北 ●什什代出 Uo=0.60.8V或 。●什代代 0.2w0.3V 空间电荷区/耗尽层 N 空间电荷区的宽度和掺杂 代 浓度成反比。 十我 +十9 内建电场 Φ
40 UΦ：势垒电压 UΦ= 0.6~0.8V 或 0.2~0.3V PN结平衡 空间电荷区/耗尽层 UΦ 内建电场 1.2.1 PN结基本原理 1.PN结的形成 空间电荷区的宽度和掺杂 浓度成反比