1.1.1 本征半导体 本征半导体---导电机理 本征激发产生的空穴 本征激发（热激发) 价电子受热或受光照（即 获得一定能量)后，可挣脱原 子核的束缚，成为自由电子 (带负电)，同时共价键中留 0 价电子 下一个带正电的空穴。 +4 本征激发产生的自由电子 该现象称为本征激发（热激发） 26
26 + 4 本征激发（热激发） 1.1.1 本征半导体 本征激发产生的空穴 价电子受热或受光照（即 获得一定能量）后，可挣脱原 子核的束缚，成为自由电子 （带负电），同时共价键中留 下一个带正电的空穴。 价 电 子 该现象称为本征激发(热激发) 本征激发产生的自由电子 本征半导体------导电机理
1.1.1 本征半导体 本征半导体---导电机理 (热)温度 电子（带负电） 光 激发 一对载流子 空穴（带正电Hole) 核辐射 成对的电子和空穴 >0> 复合一一自由电子回到共 价键结构中的现象。此时电 子空穴成对消失。 27
27 + 4 1.1.1 本征半导体 成对的电子和空穴 复 合——自由电子回到共 价键结构中的现象。此时电 子空穴成对消失。 本征半导体------导电机理 （热）温度 光 核辐射 激发 一对载流子 电子（带负电） 空穴（带正电Hole）
1.1.1 本征半导体 本征半导体---载流子密度 热(T)一激发 → 载流子密度 热平衡 复合 载流子密度 温度每升高10度，n(T)、p(T)增大一倍。 注意 ()本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差。 (2)温度越高，载流子的数目越多，半导体的导电性能也就越好 可见，温度对半导体器件性能影响很大
28 热（T） 载流子密度 复合 激发 载流子密度 热平衡 温度每升高10度，ni (T)、pi (T)增大一倍。 1.1.1 本征半导体 本征半导体------载流子密度 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差。 (2) 温度越高， 载流子的数目越多,半导体的导电性能也就越好。 可见，温度对半导体器件性能影响很大
1.1.2 杂质半导体 杂质半导体一在本征半导体中掺入微量其它元素而得到 的半导体。 杂质半导体可分为： N型（电子）半导体和P型（空穴）半导体两类。 29
29 杂质半导体—在本征半导体中掺入微量其它元素而得到 的半导体。 杂质半导体可分为： N型(电子)半导体和P型(空穴)半导体两类。 1.1.2 杂质半导体
1.1.2 杂质半导体 1.N型半导体 构成：在本征半导体中掺入微量五价元素物质（磷、砷等）而 得到的杂质半导体。 结构图 +4 +4 本征半导体 磷 多余电子 +施主杂质 豪 (Donor) +5 =N型半导体 、● 30
30 1.1.2 杂质半导体 1.N型半导体 构成：在本征半导体中掺入微量五价元素物质（磷、砷等）而 得到的杂质半导体。 结构图 本征半导体 +施主杂质 (Donor) = N型半导体