爱因斯坦光电效应方程 h 2 m0+ A 1.光电子能否产生,取决于光子的能量是 否大于该物体的表面电子逸出功A。 2.0-定时,产生的光电流和光强成正比。 3逸出的光电子具有动能
26 0 2 0 2 1 h = m + A 爱因斯坦光电效应方程： 1.光电子能否产生，取决于光子的能量是 否大于该物体的表面电子逸出功A。 2.υ一定时，产生的光电流和光强成正比。 3.逸出的光电子具有动能
822内光电效应 当光照在物体上,使物体的电导率发生变 化,或产生光生电动势的效应。 1.光电导效应 在光线作用下,电子吸收光子能量从键合 状态过度到自由状态,而引起材料电导率 的变化。 基于这种效应的光电器件有光敏电阻
27 8.2.2 内光电效应 当光照在物体上，使物体的电导率发生变 化，或产生光生电动势的效应。 1．光电导效应 在光线作用下，电子吸收光子能量从键合 状态过度到自由状态，而引起材料电导率 的变化。 基于这种效应的光电器件有光敏电阻
当光照射到光电导体上时,若这个光电导 体为本征半导体材料,且光辐射能量又足 够强,光电材料价带上的电子将被激发到导 带上去,使光导体的电导率变大。 电子能量E 导带自由电子所占能带hoE 禁带不存在电子所占能带 价带 价电子所占能带
28 自由电子所占能带 不存在电子所占能带 价电子所占能带 禁带 导带 价带 Eg 电子能量E hυ≧Eg 当光照射到光电导体上时，若这个光电导 体为本征半导体材料，且光辐射能量又足 够强,光电材料价带上的电子将被激发到导 带上去，使光导体的电导率变大
2.光生伏特效应:在光作用下能使物体 产生一定方向电动势的现象。基于该效应 的器件有光电池和光敏二极管、三极管。 ①势垒效应(结光电效应) 光照射PN结时,若hU≡Eg,使价带中的 电子跃迁到导带,而产生电子空穴对,在 阻挡层内电场的作用下,电子偏向N区外 侧,空穴偏向P区外侧,使P区带正电,N 区带负电,形成光生电动势。P+N
29 ① 势垒效应（结光电效应） 光照射PN结时，若hυ≧Eg，使价带中的 电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在 阻挡层内电场的作用下，电子偏向N区外 侧，空穴偏向P区外侧，使P区带正电，N 区带负电，形成光生电动势。 ２．光生伏特效应：在光作用下能使物体 产生一定方向电动势的现象。基于该效应 的器件有光电池和光敏二极管、三极管。 P N
②侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时,由载 流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。 当光照部分吸收入射光子的能量产生电子 空穴对时,光照部分载流子浓度比未受光 照部分的大,就出现了浓度梯度,因而载 流子要扩散
30 ②侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时，由载 流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。 当光照部分吸收入射光子的能量产生电子 空穴对时，光照部分载流子浓度比未受光 照部分的大，就出现了浓度梯度，因而载 流子要扩散