通常用的砷化镓和磷化镓两种材料固溶体 写作GaAs1xPx,x代表磷化镓的比例,当 x>035时,可得到Eg≥18eV的材料。 改变x值还可以决定发光波长,使λ在 550~900nm间变化,它已经进入红外区
11 通常用的砷化镓和磷化镓两种材料固溶体， 写作GaAs1-xPx，x代表磷化镓的比例，当 x＞0.35时，可得到Eg≥1.8eV的材料。 改变x值还可以决定发光波长，使λ在 550～900nm间变化，它已经进入红外区
与此相似的可供制作发光二极管的材料见 下表: LED材料 材料波长/nm 材料 波长/nm Zns 340 CuSe-ZnSe 400-630 Sic 480 Zn. cd Te 590-830 GaP 565,680 GaAs, p 550~900 X GaAs 900 InP As1x910~3150 InP 920 InGa1As850~1350
12 与此相似的可供制作发光二极管的材料见 下表： 材料 波长/nm 材料 波长/nm ZnS 340 CuSe-ZnSe 400～630 SiC 480 ZnxCd1-xTe 590～830 GaP 565,680 GaAs1-xPx 550～900 GaAs 900 InPxAs1-x 910～3150 InP 920 InxGa1-xAs 850～1350 LED材料
发光二极管的光谱特性如图所示。图 中砷磷化镓的曲线有两根,这是因为其材 质成分稍有差异而得到不同的峰值波长λ 除峰值波长λ决定发光颜色之外,峰的宽 度(用△A描述)决定光的色彩纯度,越 小,其光色越纯。 13
13 发光二极管的光谱特性如图所示。图 中砷磷化镓的曲线有两根，这是因为其材 质成分稍有差异而得到不同的峰值波长λp 。 除峰值波长λp决定发光颜色之外，峰的宽 度（用Δλ描述）决定光的色彩纯度，Δλ越 小，其光色越纯
GaAsP GaP np=565nm n p=670nm Gaas np=950nm 相 对0.8 GaAsP 灵0.6 np=655nm 敏度 0.4 0.2 600700800900100/m 发光二极管的光谱特性
14 发光二极管的光谱特性 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 600 700 800 900 1000 GaAsP λp=670nm λp=655nm GaAsP λp=565nm GaP λp=950nm GaAs λ/nm 相 对 灵 敏 度
发光二极管的伏安特性与普通二极管 相似,但随材料禁带宽度的不同,开启 (点燃)电压略有差异。图为砷磷化镓发 光二极管的伏安曲线,红色约为17开启, 绿色约为22V
15 发光二极管的伏安特性与普通二极管 相似，但随材料禁带宽度的不同，开启 （点燃）电压略有差异。图为砷磷化镓发 光二极管的伏安曲线，红色约为1.7V开启， 绿色约为2.2V