RAM在程序执行过程中,每个存储单元的内容 根据程序的要求既可随时读出,又可随时写入,故 可称读/写存储器。 它主要用来存放用户程序、原始数据、中间结果 也用来与外存交换信息和用作堆栈等。RAM所存 储的信息在断开电源时会立即消失,是一种易失性 存储器。 微机的存
RAM在程序执行过程中，每个存储单元的内容 根据程序的要求既可随时读出，又可随时写入，故 可称读／写存储器。 它主要用来存放用户程序、原始数据、中间结果， 也用来与外存交 换信息和用作堆栈等。RAM所存 储的信息在断开电源时会立即消失，是一种易失性 存储器
RAM按工艺又可分为双极型RAM和MoS RAM两类,而 MOS RAM又可分为静态 ( Static和动态( Dynamic)RAM两种。双极型 RAM的特点是存取速度快,但集成度低,功 耗大,主要用于速度要求高的位片式微中;静 态 MOS RAM的集成度高于双极型RAM功耗 低于双极型RAM;动态RAM比静态RAM具有 更高的集成度但是它靠电路中栅极电容来储存 信息,由于电容器上的电会泄它需要定时进行 刷新。 微机的存
RAM按工艺又可分为双极型RAM和MOS RAM两类，而MOS RAM又可分为静态 (Static)和动态(Dynamic)RAM两种。双极型 RAM的特点是存取速度快，但集成度低，功 耗大，主要用于速度要求高的位片式微中；静 态MOS RAM的集成度高于双极型RAM,功耗 低于双极型RAM；动态RAM比静态RAM具有 更高的集成度,但是它靠电路中栅极电容来储存 信息，由于电容器上的电会泄它需要定时进行 刷新
只读存储器ROM按工艺也可分为双极型和M oS型,但一般根据信息写入的方式不同,而分 为 掩模式ROM; 可编程PROM和可擦除 可再编程 EPROM等。 微机的存
只读存储器ＲＯＭ按工艺也可分为双极型和Ｍ ＯＳ型，但一般根据信息写入的方式不同，而分 为: 掩模式ＲＯＭ; 可编程ＰＲＯＭ和可擦除; 可再编程ＥＰＲＯＭ等
二、半导体存储器的组成 半导体存储器的组成框图如图5.3所示。它一般 由存储体、地址选择电路、输入输出电路和控制电 路组成。 AAA字线存储体 000 地001 A。 地址码缓冲 010 址译码 bit704号单元0 10 3456 1位 器 器 11 (1个存储基本电路) 译码 位线(8位 控制线 丽一控制 读/写放大器 WR 电路 「数据缓冲器mR TAKen 5di ⑤③a DB 图5.3半导体存储器组成框图 储骂
二、半导体存储器的组成 半导体存储器的组成框图如图5.3所示。它一般 由存储体、地址选择电路、输入输出电路和控制电 路组成
(一)存储体 存储体是存储1或0信息的电路实体,它由许多存储 单元组成,每个存储单元赋予一个编号,称为地址单 元号。而每个存储单元由若干相同的位组成,每个位 需要一个存储元件。 存储器的地址用一组二进制数表示,其地址线的位 数n与存储单元的数量N之间的关系为: 2EN 微机的存
（一） 存储体 存储体是存储1或0信息的电路实体，它由许多存储 单元组成，每个存储单元赋予一个编号，称为地址单 元号。而每个存储单元由若干相同的位组成，每个位 需要一个存储元件。 存储器的地址用一组二进制数表示，其地址线的位 数n与存储单元的数量N之间的关系为： 2 =Nn