今用一章功率电子线路岭 若集电极的散热条件良好,集电结上的热量很容易散发 到周围空气中去,则集电结就会在某一较低温度上达到 热平衡,此时集电结上产生的热量等于散发到空气中的 热量。反之,散热条件不好,集电结就会在更高的温度 上达到热平衡,甚至产生热崩而烧坏管子, 热崩( Thermal runaway):集电结结温(T升高 集电极电流(o增大→Pc增大→7随之升高 ic增大→Pc增大→T升高,如此反复,直至T超 过集电结最高允许温度Tw,导致管子被烧坏的一种恶 性循环现象
若集电极的散热条件良好，集电结上的热量很容易散发 到周围空气中去，则集电结就会在某一较低温度上达到 热平衡，此时集电结上产生的热量等于散发到空气中的 热量。反之，散热条件不好，集电结就会在更高的温度 上达到热平衡，甚至产生热崩而烧坏管子。 集电结结温 (Tj ) 升高 → 集电极电流 (iC) 增大 → PC 增大 → Tj 随之升高 → iC 增大 → PC 增大 → Tj 升高，如此反复，直至 Tj 超 过集电结最高允许温度 TjM，导致管子被烧坏的一种恶 性循环现象。 热崩 (Thermal runaway)：
今第一章功率电子线暗岭 实践中,为了利于集电结的散 散热器 功率管 热,以提高PcM,双极型功率管都 采用集电极直接固定在金属底座上, 金属底座又 周围空气a 与管壳相连的管c 管芯 结构。此外, 金属底座 (b) 金属底座还加么 R R 装金属散热器0 R (th) (如图) (c (a)(b)功率管底座上加装散热器(c)相应的热等效电路
金属底座又 与管壳相连的 结构。此外， 金属底座还加 装金属散热器 (如图) (a) (b) 功率管底座上加装散热器 (c) 相应的热等效电路 实践中，为了利于集电结的散 热，以提高 PCM，双极型功率管都 采用集电极直接固定在金属底座上
今》第一章率电子线蹈 散热器:翼状结构,以增大散热面积。面积越大, 厚度越厚,材料的导热率越高,散热效果越好 二、二次击穿 要保证功率管安全工作,除满足由PCM、ICM和 ( BRICEO所规定的安全工作条件外,还要求不发生二次 击穿。 二次击穿( Secondary Breakdown):当集电极电压 超过 BRICEO,会引起击穿,只要外电路限制击穿后 的电流,管子就不会损坏,待集电极电压小于 V( BRCEO后,管子恢复正常工作。如上述击穿后,电 流不加限制,就会出现集电极电压迅速减小,集电极 电流迅速增大的现象,即为二次击穿
散热器：翼状结构，以增大散热面积。面积越大， 厚度越厚，材料的导热率越高，散热效果越好。 二、二次击穿 要保证功率管安全工作，除满足由 PCM、ICM 和 V(BR)CEO 所规定的安全工作条件外，还要求不发生二次 击穿。 二次击穿 (Secondary Breakdown)：当集电极电压 超过 V(BR)CEO，会引起击穿，只要外电路限制击穿后 的电流，管子就不会损坏，待集电极电压小于 V(BR)CEO 后，管子恢复正常工作。如上述击穿后，电 流不加限制，就会出现集电极电压迅速减小，集电极 电流迅速增大的现象，即为二次击穿
今》第一章率电子线蹈 二次击穿的后果:导致过热点的晶体熔化,要引起 vcε下降,i剧增,功率管尚未发烫就已损坏。是不可逆, 破坏性的。 发生条件:它在高压低电流时发生,相应的功率称 为二次击穿耐量PsB°41 功率放大电路使用双 极型功率晶体管外,还 使用功率MOS管,绝缘 P 栅双极型功率管。 (BRICEO
二次击穿的后果：导致过热点的晶体熔化，要引起 vCE下降，iC 剧增，功率管尚未发烫就已损坏。是不可逆， 破坏性的。 发生条件：它在高压低电流时发生，相应的功率称 为二次击穿耐量 PSB。 功率放大电路使用双 极型功率晶体管外，还 使用功率 MOS 管，绝缘 栅双极型功率管
今一章功率电子线心 1.2功率放大器的电路组成和工作特性 在放大原理上,功率放大器与其它放大器一样,都 是能量转换器,但是,由于要求不同,因而在电路组成 和运用特性上,功率放大器却有不同的特点 1.21从一个例子讲起 RBI R 图(a)为放大器的基本电路, 现将其作为功率放大器来分析它 CB T R l=1 的功率性能。由此提示功率放大 v;() 电路组成及其工作性能上的特点
1.2 功率放大器的电路组成和工作特性 在放大原理上，功率放大器与其它放大器一样，都 是能量转换器，但是，由于要求不同，因而在电路组成 和运用特性上，功率放大器却有不同的特点。 1.2.1 从一个例子讲起 图 (a) 为放大器的基本电路， 现将其作为功率放大器来分析它 的功率性能。由此提示功率放大 电路组成及其工作性能上的特点