152PN结 ·子技术 152.1N结的形成 内电场越强,漂移运 空间电荷区也称PN结 动越强,而漂移使空间 少子的漂移运动电荷区变薄。 P型半导体 内电场型平导体 G⊙⊕④⊕④④ 扩散和漂移 999⊙⊙⊕⊕④中中这一对相反的 运动最终达到 动态平衡,空 动画9999中中中间电荷区的厚 度固定不变。 浓度差多子的扩散运动 形成空间电荷区 扩散的结果使 空间电荷区变宽。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 15.2 PN结 15.2.1 PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强，漂移运 动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。 扩散的结果使 空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － 动画 － 形成空间电荷区
1522PN结的单向导电性 子术 1.PN结加正向电压(正向偏置)P接正、N接负 PN结变窄 9Q999④由中中中 动画 999中中中 内电场被 削弱,多子 的扩散加强, 内电场N 形成较大的 外电场 F 扩散电流 PN结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较 大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 15.2.2 PN结的单向导电性 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 I 外电场 F 内电场被 削弱，多子 的扩散加强， 形成较大的 扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 P 内电场 N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + 动画 + –
a电子技术 zi 2.PN结加反向电压(反向偏置)P接负、N接正 999999中中动面 Q⊙④④④ 内电场N 外电场 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 P接负、N接正 P 内电场 N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 动画 – +
a电子技术 mozi 2.PN结加反向电压(反向偏置)P接负、N接正 PN结变宽 内电场被加 e⊙③|④④团④④ 强,少子的漂 移加强,由于 少子数量很少, 内电场N 外电场 形成很小的反 R 向电流。 PN结加反向电压时,PN结变宽,反向电流较小, 反向电阻较大,PN结处于截止状态。 温度越高少子的数目越多,反向电流将随温度增加。 总目录章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 PN 结变宽 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 内电场被加 强，少子的漂 移加强，由于 少子数量很少， 形成很小的反 IR 向电流。 P接负、N接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 动画 – + PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小， 反向电阻较大，PN结处于截止状态。 P 内电场 N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － －
子术 15.3 ◆令令令令①令令令令令令 3来景体一极管 ◆①◆令令争令 1531基本结构 (a)点接触型 (b)面接触型 结面积小、 结面积大 结电容小、正 正向电流大、 向电流小。用 结电容大,用 于检波和变频 于工频大电流 等高频电路 整流电路。 (c)平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可 小,用于高频整流和开关电路中。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 15.3 半导体二极管 15.3.1 基本结构 (a) 点接触型 (b)面接触型 结面积小、 结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。 结面积大、 正向电流大、 结电容大，用 于工频大电流 整流电路。 (c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可 小，用于高频整流和开关电路中