4、载流子的迁移率(漂移速度) 当E<10Vm时:W=AEWD=AB 一般,电子迁移率与空穴迁移率相差2-3倍。 300K,(Ge) An=39×103cm2 /VsI An=19×10cm2/Vs 当电场升高时,漂移速度随电场的增加速率变慢; 当E~1045v/cm时:达到饱和漂移速度~107cm/s 实验表明,迁移率随温度下降而上升,正比于T23 300K,(S)xn=12×103cm2/Vs 77X,(Si)1=21×10cm2/V.s 低温下,电子迁移率与空穴迁移率差不多
4、载流子的迁移率（漂移速度） 300K，(Si) 77K，(Si) 1.210 cm Vs 3 2 n 2.110 cm Vs 4 2 n 实验表明，迁移率随温度下降而上升，正比于T -2/3 。 300K，(Ge) 3.910 cm Vs 3 2 n 1.910 cm Vs 3 2 p 一般，电子迁移率与空穴迁移率相差2-3倍。 当E <103V/cm时： Wn n E Wp p E 低温下，电子迁移率与空穴迁移率差不多。 当电场升高时，漂移速度随电场的增加速率变慢； 当E ~1045V/cm时：达到饱和漂移速度~107cm/s
电子在Si中的漂移速度 i-electrons 1、电场强度较小时, W与场强成正比; 2、电场强度较大时, W随场强增加速度变慢。 110245 15204577160300 E (Vcm Ge-holes 3、电场一定时,低温 的漂移速度大 空穴在Ge中的漂移速度 190K 半导体探测器多数工作在足够高的电场下,这时载流子漂移速度达到饱和。 lmm以下的探测器载流子收集时间在10ns以下
空穴在Ge中的漂移速度 Wp 3、电场一定时，低温 的漂移速度大。 1、电场强度较小时， W与场强成正比； 2、电场强度较大时， W随场强增加速度变慢。 半导体探测器多数工作在足够高的电场下，这时载流子漂移速度达到饱和。 1mm以下的探测器载流子收集时间在10ns以下。 电子在Si中的漂移速度 Wn