衬底效应 在集成电路中,许多MOS管都制作在同一衬底上,为了保证衬底与源、 漏区之间的PN结反偏,衬底必须接在电路的最低电位上 若某些№oS管的源极不能处在电路的最低电位上,则其源极与衬底极不能 相连,其间就会作用着负值的电压Vus,在负值衬底电压Vus作用下,P型硅 衬底中的空间电荷区将向衬底底部扩展,空间电荷区中的负离子数增多。 但是由于∨s不变,即栅极上的正电荷量不变,因而反型层中的自由电子 数就必然减小,从而引起沟道电阻增大,ID减小 可见,Vus和Vs一样,也具有对L的控制作用,故又称衬底电极为 背栅极,不过它的控制作用远比Vs小 实际上,Vus对L的影响集中反映在对vesm)的影响上。Vs向负 值方向增大,VGst)也就相应增大。因而,在Vs一定时,L就减小
16 在集成电路中，许多MOS管都制作在同一衬底上，为了保证衬底与源、 漏区之间的PN结反偏，衬底必须接在电路的最低电位上。 衬底效应 若某些MOS管的源极不能处在电路的最低电位上，则其源极与衬底极不能 相连，其间就会作用着负值的电压VUS,在负值衬底电压VUS作用下，P型硅 衬底中的空间电荷区将向衬底底部扩展，空间电荷区中的负离子数增多。 可见， VUS和VGS一样，也具有对ID的控制作用，故又称衬底电极为 背栅极，不过它的控制作用远比VGS小。 实际上， VUS对ID的影响集中反映在对VGS(th)的影响上。VUS向负 值方向增大， VGS(th)也就相应增大。因而，在VGS一定时，ID就减小。 但是由于VGS不变，即栅极上的正电荷量不变，因而反型层中的自由电子 数就必然减小，从而引起沟道电阻增大，ID减小
二、N沟道耗尽型MOS管 1、耗尽型MOS管 S G D G P 予埋了导 N沟道耗尽型 电沟道
17 N 沟道耗尽型 P N N S G D 予埋了导 电沟道 G S D 二、 N沟道耗尽型MOS管 1、耗尽型MOS管
D P G 予埋了导 电沟道 P沟道耗尽型 18
18 P 沟道耗尽型 N P P S G D G S D 予埋了导 电沟道