3、增强型N沟道MOS管的特性曲线 输出特性曲线 饱 和区 饱和区 Ucs 截止区 U DS 11
11 3、增强型N沟道MOS管的特性曲线 ID U DS 0 UGS>0 输出特性曲线 非饱 和区 饱和区 截止区
转移特性曲线 0
12 0 ID UGS VT 转移特性曲线
4、关于输出特性曲线的进一步讨论 非饱和区 当Vos很小时 2 D 2L GS(th)) DS DS GS(th)/ DS n OX GS GS(th)
13 4、关于输出特性曲线的进一步讨论 非饱和区 ( ) ( ) [ ( ) ] ( ) ( ) ( ) n OX GS GS t h o n GS GS t h DS n o x D GS GS t h DS DS n o x D u C W V V L R V V V L u C W I V V V V L u C W I − = = − = − − 1 2 2 2 当VDS很小时
饱和区 DS 2l GS(th) )(1+Ds) 2L GS GS(th) G DVGS 14
14 ( ) (1 ) 2 ( ) (1 ) 2 2 ( ) 2 ( ) GS GS t h DS n o x A DS GS GS t h n o x D V V V L u C W V V V V L u C W I = − + = − − 饱和区 ID(VGS） ID G S D
截止区和亚阈区 当工作在截止区时,即Vgs<vGsm)时,沟道 未形成,因而LD=0。实际上,Vgs<vesm时,ID 不会突变到零。不过其值很小(uA量级),一般 可忽略不计。但是在某些应用场合,为了延长 电池寿命,工作电流取得很小,管子进入Vs) 附近很小的区域内(±100m√)。通常将这个工 作区称为亚阈区或弱反型层区,在这个工作区 内,I与VGs之间服从指数规律变化,类似于晶 体三极管 15
15 截止区和亚阈区 当工作在截止区时，即Vgs<VGS(th)时，沟道 未形成，因而ID=0。实际上，Vgs<VGS(th)时，ID 不会突变到零。不过其值很小(uA量级)，一般 可忽略不计。但是在某些应用场合，为了延长 电池寿命，工作电流取得很小，管子进入VGS(th) 附近很小的区域内(±100mV)。通常将这个工 作区称为亚阈区或弱反型层区，在这个工作区 内，ID与VGS之间服从指数规律变化，类似于晶 体三极管