817-1固体的能带结构四、半导体导带空带1、半导体的导电形式半导体的满带与空带之间的禁带比较窄，热运动可使满带中的电子激发到空带，使满带导带满带与空带均变成导带，但激发电子数一般较少，导电性能比较弱。本征半导体的本征导电：没有杂质与缺陷的半导体，其电子与空穴的混合导电。电子导电：在外电场加入时，被激发到空带的电子可以在不同原子的同一能级上转移形成电流。空穴导电：满带中留下空穴，其他电子在外电场作用下移动来填充孔穴，等效于带正电的空穴定向移动形成电流。幸日录节录上一页下一页
章目录 节目录 上一页 下一页 §17-1 固体的能带结构 四、半导体 1、半导体的导电形式 空 带 满 带 导 带 导 带 半导体的满带与空带之间的禁带比较窄， 热运动可使满带中的电子激发到空带，使 满带与空带均变成导带，但激发电子数一 般较少，导电性能比较弱。 电子导电：在外电场加入时，被激发到空带的电子可以在不同原子的同一能级上转 移形成电流。 本征半导体的本征导电：没有杂质与缺陷的半导体，其电子与空穴的混合导电。 空穴导电：满带中留下空穴，其他电子在外电场作用下移动来填充孔穴，等效于带 正电的空穴定向移动形成电流
817-1固体的能带结构2、杂质半导体杂质原子的电子不参与晶体电子的公有化，独立形成新能级，位于禁带中，杂质原子不同，能级在禁带中的位置不同，导电机制亦不同。（1）N型半导体空带施主禁带能级满带四价元素半导体掺入五价元素原子，由杂质多余电子占据的施主能级靠近空带，在外电场加入时，被激发到空带的电子可以在不同原子的同一能级上转移形成电流。节录章日录上一页下一页
章目录 节目录 上一页 下一页 §17-1 固体的能带结构 2、杂质半导体 杂质原子的电子不参与晶体电子的公有化，独立形成新能级，位于禁带中，杂质原 子不同，能级在禁带中的位置不同，导电机制亦不同。 （1）N型半导体 空 带 满 带 施主 禁 能级 带 四价元素半导体掺入五价元素原子，由杂质多余电子占据的施主能级靠近空带，在 外电场加入时，被激发到空带的电子可以在不同原子的同一能级上转移形成电流