÷如在垂直于外磁场B,另加一频率为的射频场， 当满足： hVo=△E=geμBB 电子自旋从射频场中吸收能量从低能级跃迁到 高能级，产生了电子自旋共振现象。 ge hvo/(UgB)
❖ 如在垂直于外磁场B,另加一频率为ν的射频场， 当满足： hν0＝ΔE＝geµ BB 电子自旋从射频场中吸收能量从低能级跃迁到 高能级，产生了电子自旋共振现象。 ge = hν0/(µ BB)
由于自旋-晶格相互作用，使自旋不能静止在 某一个能级上，而是不断的跃迁在两个能级 之间，这是一个动态平衡，电子停留在一个 能级上的寿命△t只能是有限值，有测不准关 系△E△t≤h,谱线只能是有限宽度。 ÷另外由于自旋与自旋之间的相互作用，使得 真正的共振磁场B,=B+B,由于B有一个分 布，所以B也是一个变量
❖ 由于自旋-晶格相互作用，使自旋不能静止在 某一个能级上，而是不断的跃迁在两个能级 之间，这是一个动态平衡，电子停留在一个 能级上的寿命Δt 只能是有限值，有测不准关 系ΔEΔt ≤ħ，谱线只能是有限宽度。 ❖ 另外由于自旋与自旋之间的相互作用，使得 真正的共振磁场B,= B+ B’，由于B’有一个分 布，所以B也是一个变量