liD(mA si Ge si 02040608-v(V) A Ge 10μA ●● 图112二极管的伏安特性曲线 ●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●
图1.12 二极管的伏安特性曲线
3反向击穿特性 in(mA) 当加在二极管上的 反偏电压超过某 Si 数值VBR时,反偏电 流将急剧增大,这 种现象称为二极管 BR BR 的反向击穿 HA1.0 =0.1pA Si 图113二极管的反向击穿特性 ●● ●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●
当加在二极管上的 反偏电压超过某一 数值VBR时，反偏电 流将急剧增大，这 种现象称为二极管 的 反 向 击 穿 图1.13 二极管的反向击穿特性 3.反向击穿特性
导致二极管出现反向击穿的原因有下面两种: 雪崩击穿 齐纳击穿 ●● ●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●
导致二极管出现反向击穿的原因有下面两种： ◼ 雪崩击穿 ◼ 齐纳击穿
4温度对二极管伏安特性的影响 温度对二极管正向特性的影响 puNa (2~2.5)mV 7 C >温度对二极管反向特性的影响 12-7 (72)=/(71)2 10pa 图1.14温度对二极管伏安特性的影响 ●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●
(2 ~ 2.5) D o dv mV dT C − 2 1 10 2 1 ( ) ( )2 T T S S I T I T − = 4.温度对二极管伏安特性的影响 ➢温度对二极管正向特性的影响 ➢温度对二极管反向特性的影响 图1.14 温度对二极管伏安特性的影响
5.S二极管与Ge二极管的差别 liD(mA) Si二极管的开启电压约 05-0.6V,Ge二极管 的开启电压约0102V。 Ge 15b- S二极管反向电流比Ge 二极管反向电流小得多, si管是pA量级,Ge管 是叭A量级。 0204060-(v) 为什么? G 10μA 图1.15Si和Ge两种二极管伏安特性的差别 ●● ●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●
5. Si二极管与Ge二极管的差别 ➢ Si 二极管的开启电压约 0.5-0.6V，Ge二极管 的开启电压约0.1-0.2V。 ➢ Si二极管反向电流比Ge 二极管反向电流小得多， Si 管是pA量级，Ge管 是μA量级。 为什么？ 图1.15 Si和Ge两种二极管伏安特性的差别