三极管的交流参数 b共基极交流电流放大系数a=△UNE| reconst 当CBo和(Eo很小时,ca、F,可以不加区分。 ②特征频率f 三极管的β值不仅与工作电流有关,而且与 工作频率有关。由于结电容的影响,当信号频率 增加时,三极管的β将会下降。当B下降到1时所对 应的频率称为特征频率,用f表示
三极管的交流参数 b.共基极交流电流放大系数α=IC/IE VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈、 ≈，可以不加区分。 ②特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与 工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率 增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对 应的频率称为特征频率，用fT表示
三极管的极限参数 3)极限参数 ①集电极最大允许电流LM 如图所示,当集电极电流增加时,β就要下降, 当β值下降到线性放大区β值的70~30% 时,所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流M至于f值c/mA 下降多少,不同 VCE =7V B=lc/IB 型号的三极管, 不同的厂家的规 定有所差别。可20 见 CM 并不表示三极管10 会损坏。 100200300400500/A
三极管的极限参数 如图所示，当集电极电流增加时，就要下降， 当值下降到线性放大区值的70～30％ 时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。至于值 下降多少，不同 型号的三极管， 不同的厂家的规 定有所差别。可 见，当IC＞ICM时， 并不表示三极管 会损坏。 (3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM
三极管的极限参数 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗, CM Cr CB CEr 因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中 在集电结上。 在计算时往往用VcE取代VcB
三极管的极限参数 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。 在计算时往往用VCE取代VCB
三极管的极限参数 ③反向击穿电压反向击穿电压表示三极管电极间承受 反向电压的能力,其测试时的原理电路如图所示。 限流电阻 e C 限流电阻 m R R 已 BR代表击穿之意,是 Breakdown的字头。 几个击穿电压在大小上有如下关系: (BRICBO(BR)CES(BR)CER (BR)CEo>V (BR)EBO (BRCES (BR)CER
三极管的极限参数 ③反向击穿电压:反向击穿电压表示三极管电极间承受 反向电压的能力，其测试时的原理电路如图所示。 BR代表击穿之意，是Breakdown的字头。 几个击穿电压在大小上有如下关系： V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO
三极管的极限参数 a.J(BRBo—发射极开路时的集电结击穿电压。下标 CB代表集电极和基极,O代表第三个电 极E开路。 (BR) EBO 集电极开路时发射结的击穿电压。 C V(BR)CEO 基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压 对于 VBRICER表示BE间接有电阻, VBRICES表示BE间 是短路的
三极管的极限参数 a.V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 CB代表集电极和基极，O代表第三个电 极E开路。 b.V(BR) EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。 c.V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。 对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间 是短路的