立方氮化硼C-BN的制备 指导老师:乐永康 实验人:张宏伟钱雅超宁文正 报告日期:2008-12-29
指导老师：乐永康 实 验 人：张宏伟 钱雅超 宁文正 报告日期： 2008-12-29
概述 用射频溅射法将立方氮化硼(C-BN)薄膜況积在 晶体硅上,薄膜成分由傅立叶变换红外吸收谱标识。 在其他条件不变的情况下,研究了衬底温度及氮气 含量对制备立方氮化硼的影响。研究结果表明,基 底温度是影响立方氮化硼含量的重要参数。C-BN 的含量并非单纯线性随衬底温度变化,在不同的N2 含量下,立方氮化硼生长有不同的最适生长的衬底 温度,并且在最适生长衬底温度附近生长的CBN 应力较低
用射频溅射法将立方氮化硼（c-BN）薄膜沉积在 晶体硅上，薄膜成分由傅立叶变换红外吸收谱标识。 在其他条件不变的情况下，研究了衬底温度及氮气 含量对制备立方氮化硼的影响。研究结果表明，基 底温度是影响立方氮化硼含量的重要参数。c-BN 的含量并非单纯线性随衬底温度变化，在不同的N2 含量下，立方氮化硼生长有不同的最适生长的衬底 温度，并且在最适生长衬底温度附近生长的c-BN 应力较低
立方氮化硼薄膜在薄膜应用领域具有重要的 技术潜力 ◆宽光学带隙6.5eV,优良的热导率,可掺杂为N型、P 型半导体 ◆高温下强的抗氧化性能(1300℃以下不易氧化) ◆很高的硬度,是超硬保护涂层的较佳选择材料。 很好的透光性,本身高硬度是光学元件良好的保护涂层
◆ 宽光学带隙6. 5 eV ,优良的热导率，可掺杂为N 型、P 型半导体 ◆ 高温下强的抗氧化性能(1300 ℃以下不易氧化) ◆ 很高的硬度, 是超硬保护涂层的较佳选择材料。 ◆ 很好的透光性, 本身高硬度,是光学元件良好的保护涂层
衬底 氮配溅 气适射 机靶 分档配偏 氩 器电 械材 子板适压 泉 源 泵 器电 源
氮 气 机 械 泵 氩 气 分 子 泵 档 板 偏 压 电 源 配 适 器 靶 材 溅 射 电 源 配 适 器 衬底
实验器材1 =