光电子能谱图-5.01）光电子产额～光Ag3dARMNN电子动能（电子5/23/2结合能)Ag3p光电子产额由检Mgd3KO1s测器计数或计数edA6CIsA84率（单位时间的平A均计数)表示。如迎迎鸡300400100110012001300/ev图Ag片的X射线光电子能讲（MgKx激发源）
光电子产额～光 电子动能（电子 结合能） 光电子产额由检 测器计数或计数 率(单位时间的平 均计数)表示。 光电子能谱图 S D U T
紫外（真空）光电子能谱（UPS）Auger电子能谱（AES）X射线光电子能谱(XPS)hv外层.内层※辐射源：X射※光源：单色X射※光源：紫外光10~线或者电子束线100eV～10keV。100eV。※作用于：原子内※作用于：原子内※作用于：外层价层电子。层电子。电子和固体的价带电※产生：俄歇电子。子。※产生：X射线光电子。※俄歇谱仪分析的※产生：光电子※样品成分（元素组是极表层的成分，分※研究分子轨道与析深度达到1nm。成)分析。结合键和有机化合物结构以及固体能带结构
hv hv hv ※ 光源:紫外光10～ 100eV。 ※ 作用于：外层价 电子和固体的价带电 子。 ※ 产生：光电子 ※ 研究分子轨道与 结合键和有机化合物 结构以及固体能带结 构。 ※ 光源:单色X射 线100eV～10keV。 ※ 作用于：原子内 层电子。 ※ 产生：X射线光电 子。 ※ 样品成分(元素组 成)分析。 ※ 辐射源：X射 线或者电子束 ※ 作用于：原子内 层电子。 ※ 产生：俄歇电子。 ※ 俄歇谱仪分析的 是极表层的成分，分 析深度达到1nm。 紫外(真空)光电子能谱(UPS) X射线光电子能谱(XPS) Auger电子能谱(AES) 内层 外层 S D U T
我歇电子产生过程真空能级真空能级真空能级KKK终态内层空位产生俄歇过程发生※KL2L3俄歇电子：K：俄歇过程初态空位所在能级；L2：向空位作无辐射跃迁电子所在能级：L3：被发射出去的电子所在能级
俄歇电子产生过程 ※ KL2L3俄歇电子： K: 俄歇过程初态空位所在能级； L2:向空位作无辐射跃迁电子所在能级； L3:被发射出去的电 S D U T 子所在能级
以X射线形式释放无辐射跃迁过程俄歇电子(b)(a)1<国VL1KK(b)产生示意图(a)俄歇电子荧光X射线；
无辐射跃迁过程 L2 L1 K 产生示意图 (a) 荧光X射线； (b) 俄歇电子 L2 L1 K 以X射线形式释放 俄歇电子 L3 L3 e hv (a) (b) S D U T
X光电子LL2LhvK
L2 L1 K X光电子 L3 hv S D U T