第一章半导体器件 是非题 1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。() 2、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。() 3、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( 4.当外加反向电压增加时,PN结的结电容减小。() 5.当外加电压为0时,PN结的电容最小。() 6、二极管是根据PN结的单向导电性制成的,因此二极管也具有单向导电性。() 7、二极管的电流-电压关系特性可大概理解为反向偏置导通,正向偏置截止。() 8、用万用表识别二极管的极性时,若测得是二极管的正向电阻,那么标有“+”号的测试棒 相连的是二极管的正极,另一端是负极。() 9、反向电流几乎与二极管两端所加电压无关,击穿后反向电流剧增。() 10、特定的二极管,其静态电阻是固定不变的,但动态电阻则随工作点的变化而变化。() 11、当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小,当反向电压大于反向击穿电 压后,其反向电流迅速增加。() 12、一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压 13、如果二极管的正、反向电阻都很大,则该二极管内部断路。() 14、二极管的正极电位为-20V,负极电位为19.4V,则二极管处于零偏。() 15、二极管的正向电阻小,反向电阻大。() 二极管的正极电位是-20V,负极电位是-19.4V,则该二极管处于反偏的状态。() 17、稳压二极管是特殊的二极管,工作于反向击穿特性。() 18、稳压二极管工作在正常的反向击穿状态时,切断外加电压后,PN结仍处于反向击穿状 19、当工作电流超过最大稳定电流时,稳压二极管将不起稳压作用,但并不损坏。( 20、三极管相当于两个反向连接的二极管,所以基极断开后还可以作为二极管使用。() 21、晶体管相当于两个反向连接的二极管,所以,基极断开后还可以作为二极管使用。() 22、三极管由两个PN结构成,所以能用两个二极管反向连接起来充当三极管使用 23三极管的集电区和发射区是同一种类型的半导体,故集电极和发射极可以互换使用。() 、NPN型和PNP型三极管的区别是掺入杂质元素不同。() 25、三极管Icso大,说明其工作电流大。() 6、发射结处于正向偏置的三极管,一定是工作在放大区。() 27、当三极管的两个N结都处于反偏时,三极管处于截止状态。() 28、当三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于饱和状态。() 29、三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将随基极电流的增加而增加。() 30、NPN型三极管各电极对地的电位分别为:UC=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该三极管的工作 状态为放大。() 二、填空题 1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入几价元素可形成P型半导体 A.五价B.四价C.三价 2、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A.变窄B.基本不变C.变宽 3、温度升高时,二极管的反向饱和电流将
第一章 半导体器件 一、 是非题 1、在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ） 2、因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 3、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 4．当外加反向电压增加时，PN 结的结电容减小。（） 5．当外加电压为 0 时，PN 结的电容最小。（） 6、二极管是根据 PN 结的单向导电性制成的，因此二极管也具有单向导电性。（ ） 7、二极管的电流-电压关系特性可大概理解为反向偏置导通，正向偏置截止。（ ） 8、用万用表识别二极管的极性时，若测得是二极管的正向电阻，那么标有“+”号的测试棒 相连的是二极管的正极，另一端是负极。（ ） 9、反向电流几乎与二极管两端所加电压无关，击穿后反向电流剧增。（） 10、特定的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。（） 11、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电 压后，其反向电流迅速增加。（） 12、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（ ） 13、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管内部断路。（ ） 14、二极管的正极电位为-20V，负极电位为 19.4V，则二极管处于零偏。（ ） 15、二极管的正向电阻小，反向电阻大。（） 16、二极管的正极电位是-20V，负极电位是-19.4V，则该二极管处于反偏的状态。（） 17、稳压二极管是特殊的二极管，工作于反向击穿特性。（） 18、稳压二极管工作在正常的反向击穿状态时，切断外加电压后，PN 结仍处于反向击穿状 态。（ ） 19、当工作电流超过最大稳定电流时，稳压二极管将不起稳压作用，但并不损坏。（ ） 20、三极管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。（ ） 21、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。（） 22、三极管由两个 PN 结构成，所以能用两个二极管反向连接起来充当三极管使用。（ ） 23 三极管的集电区和发射区是同一种类型的半导体，故集电极和发射极可以互换使用。（） 24、NPN 型和 PNP 型三极管的区别是掺入杂质元素不同。（） e 25、三极管 ICEO 大，说明其工作电流大。（） 26、发射结处于正向偏置的三极管，一定是工作在放大区。（ ） 27、当三极管的两个 PN 结都处于反偏时，三极管处于截止状态。（ ） 28、当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于饱和状态。（ ） 29、三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将随基极电流的增加而增加。（ ） 30、NPN 型三极管各电极对地的电位分别为：UC=9V，UB=0.7V，UE=0V，则该三极管的工作 状态为放大。（ ） 二、填空题 1、 在本征半导体中加入 元素可形成 N 型半导体，加入_____几价元素可形成 P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 2、 PN 结加正向电压时，空间电荷区将_____________. A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 3、 温度升高时，二极管的反向饱和电流将__________________
A.增大B.不变C.减小 4、点接触型二极管较适用于() A、大功率整流, 小信号检波 C、小电流开关 5、面接触型二极管比较适用于() A、高频检波 大功率整流 C、大电流开关 6、随着正向电流的增大,普通二极管的直流电阻和交流电阻() A、二者都增大 B、前者增大,后者减小 C、前者减小后者增大D、二者都减小 7、用万用表的R*10档和R*100档测量同一个二极管的正向电阻,两次测得的值分别是R1 和R2,两者相比() A、Rl>R2 B、Rl=R2 C、R1<R2 D、说不定哪个大 8、当温度升高后,二极管的正向电压() A、增大 B、减小 C、不变戏法 D、无法确定 9、如果二极管的正反电阻都很小功率二极管的性能好坏时,应把欧姆档拨到() A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 D、无法确定 10、用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的特性好坏是应把欧姆档拨到() A、R×100或R×1K, B、R×19 C、R×1K D、都可以 11、下题图1-1所示电路中,设D为理想二极管,UAo= 题图1-1 B、Uo=-4.5V C、U=9V, D、U4=4.5V 2、下题图1-2所示电路中,当E=10V时,U=0.6V;若E=20V时,则U应是()
A. 增大 B. 不变 C. 减小 4、点接触型二极管较适用于（ ） A、大功率整流， B、小信号检波 C、小电流开关 5、面接触型二极管比较适用于（ ） A、高频检波， B、大功率整流 C、大电流开关 6、随着正向电流的增大，普通二极管的直流电阻和交流电阻（ ） A、二者都增大 B、前者增大，后者减小 C、前者减小后者增大 D、二者都减小 7、用万用表的 R*10 档和 R*100 档测量同一个二极管的正向电阻，两次测得的值分别是 R1 和 R2，两者相比（ ） A、R1>R2 B、R1=R2 C、R1<R2 D、说不定哪个大 8、当温度升高后，二极管的正向电压（ ） A、增大 B、减小 C、不变戏法 D、无法确定 9、如果二极管的正反电阻都很小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆档拨到（ ） A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 D、无法确定 10、用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的特性好坏是应把欧姆档拨到（ ） A、R×100 或 R×1K， B、R×1Ω C、R×1K D、都可以 11、下题图 1－1 所示电路中，设 D 为理想二极管，UAO=（ ） D1 D2 4.5V 4 K 9 V A O 题 图 1－1 A、UAO=0V， B、UAO=-4.5V C、UAO=9V， D、UAO=4.5V 12、下题图 1－2 所示电路中，当 E=10V 时，UD=0.6V;若 E=20V 时，则 UD 应是（ ）
题图1-2 A、1.2V B、0.6V略高 C、仍是0.6V D、0.6V略低 13、稳压管的稳压区是其工作在 A、正向导通B、反向截止C、反向击穿 14、晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 A、前者反偏、后者也反偏 B、前者正偏、后者反偏 C、前者正偏、后者也正偏 15、测得处于放大状态的某三极管一电极对另外两个电极的电压分别为+3.3v和+4v,则此 三极管应为() A、PNP型锗管 B、NPN型锗管 C、PNP型硅管 D、NPN型硅管 16、有几只三极管的β和Icso的值分别如下,其它参数接近,为使放大电路获得好的放大性 能,应选() A、B=160,IcEo=100uA B、B=20,Ico=1.5uA C、B=80,IcEo=2uA D、B=60,IcEo=2.5uA 17、当晶体三极管的两个PN结都正偏时,则晶体三极管处于() A、截止状态 B、放大状态 C、饱和状态 D、击穿状态 18、当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于() A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态 19、当环境温度升高时,晶体三极管的反向电流将() A、增大 B、减小 C、不变 D、无法确定 20、用直流电压表测NPN三极管电路,三极管各极对地电位是:Ub=4.7v,Uc=4.3v,则该三极 管的工作状态是() A、截止, B、放大 C、饱和 21、三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将() A、随基极电流的增加而增加, B、随基极电流的减小而减小 C、与基极电流变化无关,只决定于Ee和Rc
E R D Uo 题 图 1－2 A、1.2V, B、0.6V 略高 C、仍是 0.6V D、0.6V 略低 13、稳压管的稳压区是其工作在 。 A、 正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 14、晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 A、前者反偏、后者也反偏 B、 前者正偏、后者反偏 C、 前者正偏、后者也正偏 15、测得处于放大状态的某三极管一电极对另外两个电极的电压分别为+3.3v 和+4v，则此 三极管应为（ ） A、PNP 型锗管 B、NPN 型锗管 C、PNP 型硅管 D、NPN 型硅管 16、有几只三极管的β和 ICEO 的值分别如下，其它参数接近，为使放大电路获得好的放大性 能，应选（ ） A、β=160, ICEO=100uA; B、β=20, ICEO=1.5uA; C、β=80, ICEO=2uA; D、β=60, ICEO=2.5uA; 17、当晶体三极管的两个 PN 结都正偏时，则晶体三极管处于（ ） A、截止状态， B、放大状态 C、饱和状态， D、击穿状态 18、当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于（ ） A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态 19、当环境温度升高时，晶体三极管的反向电流将（ ） A、增大 B、减小 C、不变 D、无法确定 20、用直流电压表测 NPN 三极管电路，三极管各极对地电位是：Ub=4.7v,Uc=4.3v,则该三极 管的工作状态是（ ） A、截止， B、放大 C、饱和 21、三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（ ） A、随基极电流的增加而增加， B、随基极电流的减小而减小 C、与基极电流变化无关，只决定于 EC 和 RC
如题图1-3所示为三极管输出特征,该管在U。=6v,I=3mA处的电流放大倍数β为() C、100 D、10 63101z 题图1-3 23、当晶体管的两个PN结都反偏时,晶体管处于() A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 24、当晶体管的两个PN结都正偏时,晶体管处于() A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 25、万能表的红表笔“+”接触某晶体管的一只管脚,黑表笔“一”分别接触另两只管脚时, 测得电阻均较小,则说明该晶体管() A、NPN型 C、不能确定 分析计算题 1、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么? 2、如题图1-4所示,问:二极管两端的压降和流过二极管的 电流是多少? 若调换二极管的极性,则二极管两端的压降和通过二极管的电 流又是多少? (设二极管的反向电流I=0) 题图1-4 4、设二极管的正向压降可忽略不计,反向击穿电压为5V,反向电流为0.1mA,试求题图1 5所示电路的电流
22、如题图 1－3 所示为三极管输出特征，该管在 Uce=6v,Ic=3mA 处的电流放大倍数β为（ ） A、60 B、80 C、100 D、10 题 图 1－3 23、当晶体管的两个 PN 结都反偏时，晶体管处于（ ） A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 24、当晶体管的两个 PN 结都正偏时，晶体管处于（ ） A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 25、万能表的红表笔“+”接触某晶体管的一只管脚， 黑表笔“－”分别接触另两只管脚时， 测得电阻均较小，则说明该晶体管（ ） A 、 NPN 型 B、PNP 型 C、 不能确定 三、分析计算题 1、 能否将 1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 2、如题图 1－4 所示，问：二极管两端的压降和流过二极管的 电流是多少？ 若调换二极管的极性，则二极管两端的压降和通过二极管的电 流又是多少？ （设二极管的反向电流 Is=0） 题 图 1－4 4、 设二极管的正向压降可忽略不计，反向击穿电压为 5V，反向电流为 0.1mA，试求题图 1 －5 所示电路的电流。 1 2 3 4 5 6 A B C D 1 2 3 4 5 6 D C B A Title Size Number Revision B Date: 14-Mar-2003 Sheet of File: D:\唐扬波\文件夹B\MyDesign.ddb Drawn By: 12V 6V D 1K
10V ZXD2 Z 30v (d) 4、分析题图1-6所示电路中各二极管是导通还是截止?并求出A、0两端的电压U(设D 为理想二极管)。 D2 15V O (c) 题图1-6 5、如题图1-7所示,已知输入信号为正弦交流电,且U->E,试画出输出电压的波形 ∠D u E
1 2 3 4 5 6 A B C D 1 2 3 4 5 6 D C B A Title Size Number Revision B Date: 14-Mar-2003 Sheet of File: D:\唐扬波\文件夹B\MyDesign.ddb Drawn By: 2 K 2 K 2 K 2 K 2 V 10V 10V 30V D D1 D2 D1 D2 D2 D1 (a) (c) (d) (b) 题 图 1－ 5 4、分析题图 1－6 所示电路中各二极管是导通还是截止？并求出 A、O 两端的电压 UAO（设 D 为理想二极管）。 1 2 3 4 5 6 A B C D 1 2 3 4 5 6 D C B A Title Size Number Revision B Date: 14-Mar-2003 Sheet of File: D:\唐扬波\文件夹B\MyDesign.ddb Drawn By: 15V 12V 3K 4K 9V 12V D D2 D1 D1 D2 9V 4.5V 4K (a) (b) (c) A O A O A O 题 图 1－6 5、如题图 1－7 所示，已知输入信号为正弦交流电，且 Uim>E，试画出输出电压的波形。 题 图 1－ 7 1 2 3 4 5 6 A B C D 1 2 3 4 5 6 D C B A Title Size Number Revision B Date: 14-Mar-2003 Sheet of File: D:\唐扬波\文件夹B\MyDesign.ddb Drawn By: E D R ui uo