忘電子工業出版社 Publishing House of Electronics Industry 写片外RAM的时序与读片外ROM类同,但写 的过程中,CPU在向P0口送完低8位地址后, 又主动把数据送到数据总线上(数据总线在 此期间不出现高阻态),然后写控制信号 有效(低电平有效),选通被访问的存储单 元,稍后,数据总线上的数据就被写入选定 的存储单元
写片外RAM的时序与读片外ROM类同，但写 的过程中，CPU在向P0口送完低8位地址后， 又主动把数据送到数据总线上（数据总线在 此期间不出现高阻态），然后写控制信号 有效（低电平有效），选通被访问的存储单 元，稍后，数据总线上的数据就被写入选定 的存储单元
忘電子工業出版社 Publishing House of Electronics Industry 8.2.2存储器并行扩展实例 1.扩展程序存储器2716 (1)2716存储器芯片简介 2716 EPROM是2K×8b紫外线可擦的只读 存储器,采用单一+5V供电,运行时的最大功 耗为252mW,维持功耗为132mW。读出时间最 大为450ns,2716采用24引脚双列直插式封装 其引脚排列和工作方式分别如图8.8和表8.3 所示
8.2.2 存储器并行扩展实例 1.扩展程序存储器2716 ⑴ 2716存储器芯片简介 2716 EPROM是2K×8b紫外线可擦的只读 存储器，采用单一+5V供电，运行时的最大功 耗为252mw，维持功耗为132mW。读出时间最 大为450ns，2716采用24引脚双列直插式封装， 其引脚排列和工作方式分别如图8.8和表8.3 所示
國電子工業出版社 onics Industry A7 24H-VCC A0~A10:地址线 A6 A5 2249 Q0~Q7:数据线 A4 2345 21H-VPP A3 20-0E() CE:片选/编程脉冲 A2-6271619A10 A1 18CE/PGM(EP) OE:输出使能 A0-8 17Q7 Q0-9 16-Q6 Wm:编程电压输入 Q1-10 15}-Q5 Q2-11 GND(Vss)12 13--03 图882716引脚排列
图 8.8 2716引脚排列
忘電子工業出版社 Publishing house of Electronics Industry 表832716作苏式 方式脚2270 诎低低堋郡序础出 未选中 X+57高阻 编程正脉冲 3718序写入 程序秘验低低<37移础出 编程禁止低高+57阻
電子工業出版社 Publishing House of Electronics Industry (2)2716与McS51单片机的连接方法 80c51 2716 P2.3 P2.0~P2.2 A8~A10 74LS373 ALE Do Q0 P0.0~P0.7 A0~A7 D7 Q7 00~07 PSEN 图892716与MCS51单片机芯片的连接
图8.9 2716与MCS-51单片机芯片的连接 ⑵ 2716与MCS-51单片机的连接方法