第四节半导体三极管 三极管的结构与符号 极管的结构集电极,用C或c两种类 发射极,用F成 表示( 基 三极管符号 两种类型的三极管
半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类 型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 第四节 半导体三极管 一、三极管的结构与符号
结构特点: 发射区的掺杂浓度最高 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且 掺杂浓度最低。 NPN型 P N 管芯结构剖面图
结构特点： • 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且 掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图
极管的电流放大作用 1、电流放大的原因 三极管的放大作用在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来 内部条件:内部结构上的特点 外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置 2.内部载流子的传输过程 发射区:发射载流子 N 集电区:收集载流子 基区:传送和控制 e 载流子 (以NPN为例) h 载流子为自由电子 ●●中 °. l FlB+ID
二、三极管的电流放大作用 1、电流放大的原因 三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来 内部条件：内部结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置 2. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制 载流子 （以NPN为例） 载流子为自由电子
3、实际偏置电路 Ic 般参数 N Ec>EB Rn 2 R P R
3、实际偏置电路 Ic IE IB R B E B E C RC NNP 一般参数 EC > EB RB > RC
三极管的交流放大系数 三极管的直流放大系数: 阝=△Ic/△ β=lC/B 三极管的电流分配关系: E=IB+I而且L》I3,△L》△lB Ic=βlB;L=(1+β)lB; B (1+β)iB 共射电路 极管的特性曲线 极间电压和各极电流之间的关系 包括输入特性和输出特性两组 B CE 输入回路:EB、RB、B、E; 输出回路:Ec、Rc、C、E; RD BEE B
三极管的电流分配关系： IE = IB + IC 而且 IC 》IB ， △IC 》△IB IC = IB ； IE =(1+ ) IB ； iC = iB ； iE = (1+ ) iB ； 三极管的交流放大系数： =△IC /△IB 三极管的直流放大系数： =IC /IB 三、三极管的特性曲线 极间电压和各极电流之间的关系； 包括输入特性和输出特性两组； B C IB RB EB EC RC Ic IE 输入回路： EB 、 RB 、B、E； E 输出回路： EC 、 RC 、C、E； 共射电路 UCE UBE V