24Mos逻辑门 >单极型 MOS(Metal Oxide semiconductor) 集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种 01>NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合 制作高性能的存储器、微处理器等大规模 00集成电路。 0而由NMOS和PMOS构成的互补型CMos 10路以其性能好、功耗低等显著特点,得 100到愈来愈广泛的应用。 00主要介绍NMOS和CMOS门电路。 0101000
2.4 MOS逻辑门 ➢单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor) 集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 ➢NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合 制作高性能的存储器、微处理器等大规模 集成电路。 ➢而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS 电路以其性能好、功耗低等显著特点，得 到愈来愈广泛的应用。 ➢主要介绍NMOS和CMOS门电路
NMOS管的开关特性 >MOS管和晶体管一样可以当开关用 如图所示,RD为负载电阻,T为负载 01010100 DD 10010101 00101010 01010010 R D 10010010 D 10010101 00101001 R G 0101000 G
NMOS管的开关特性 ➢ MOS管和晶体管一样可以当开关用。 ➢ 如图所示，RD为负载电阻，T为负载。 VDD RD VI VO RG G T S D
NMOS管的开关特性 >当用增强型NMOS做工作管时,如输入电压v为 高电平(大于开启电压)则NMOS管导通,开 关闭合,输出电压v为低电平。 01010100 10010101 DD DD 00101010 01010010 R 10010010 D D 10010101 D 00D001R G S G
NMOS管的开关特性 ➢ 当用增强型NMOS做工作管时，如输入电压vI为 高电平（大于开启电压VT）则NMOS管导通，开 关闭合，输出电压vO为低电平。 VDD RD VI VO RG G S D VDD RD VI VO RG G T S D
NMOS管的开关特性 >输入电压v为低电平时则NMOS管截止,开 关断开,输出电压v为高电平 01010100 DD 10010101 DD 00101010 R D 01010010 R D D 10010010 D R 10010101 R 口 G 0010I0 S 0101000 G
NMOS管的开关特性 ➢ 输入电压vI为低电平时则NMOS管截止，开 关断开，输出电压vO为高电平。 VDD RD VI VO RG G S D VDD RD VI VO RG G T S D
PMOS管的开关特性 DD DD R 01010100 R D 10010101 D D F 00101010 F 010110 T A=0 G S G 10010101 00101001 A=1,开关断开,P=04=0,开关闭合,F=15
PMOS管的开关特性 -VDD RD VI VO A G T S D F -VDD RD VI VO G S D F A=0 A=1，开关断开，F=0 -VDD RD VI VO G S D F A=1 A=0，开关闭合，F=1