色泽 (ml) 27 21 15 BI B2 B3 DD2D3因素 指标一因素图4 School of microelectronics and solid-State Electronics 返回
School of Microelectronics and Solid-State Electronics 33 27 21 15 A1 A2 A3 B1 B2 B3 C1 C2 C3 D1 D2 D3 因素 色泽 （ml） 指标－因素图-4 返回
第三章多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用 镍铁合金电镀(应用举例) 低盐浓度光亮镍铁合金镀液配方因素一水平表, 实验以电沉积速度和合金光亮度为指标 表35低盐浓度光亮镍铁合金基础镀液配方因素水平表 D F 因素 E 水平 硫酸镍|硫酸亚|硼酸温度 H值 g/) t(g/l)(g/L)(C\ pn(a/dm2 45 2.5 2 15 2.5 7 50 20 55 3.5 4 25 3.5 60 4 3.5 30 4 10 65 4.5 4 School of microelectronics and solid-State Electronics
School of Microelectronics and Solid-State Electronics 第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用 镍铁合金电镀（应用举例） 低盐浓度光亮镍铁合金镀液配方因素—水平表， 实验以电沉积速度和合金光亮度为指标。 因素 水平 A 硫酸镍 (g/L) B 硫酸亚 铁(g/L) C 硼酸 (g/L) D 温度 (℃) E pH值 F J (A/dm2) 1 10 2 6 45 2.5 2 2 15 2.5 7 50 3 2.5 3 20 3 8 55 3.5 3 4 25 3.5 9 60 4 3.5 5 30 4 10 65 4.5 4 表3-5 低盐浓度光亮镍铁合金基础镀液配方因素水平表
第三章多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用 >配方的添加剂参数 氯化钠:20~25g/1 柠檬酸钠:3~4g 糖精钠:3g/l “791”光亮剂:4~6g/1 cmese, uestc 十二烷基苯磺酸钠:005~01g/l 柠檬酸适量 >电沉积工艺 阳极面积(Ni:Fe):4:1 阴极与阳极面积比Cu:Fe:N为1:2:8 温度:50~55℃ 时间50min School of microelectronics and solid-State Electronics
School of Microelectronics and Solid-State Electronics 第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用 ➢配方的添加剂参数 – 氯化钠: 20～25g／l – 柠檬酸钠: 3～4gl – 糖精钠: 3g／l – “791”光亮剂: 4～6g／l – 十二烷基苯磺酸钠: 0.05～0.1g／l – 柠檬酸: ➢电沉积工艺 – 阳极面积(Ni∶Fe): 4∶1 – 阴极与阳极面积比:Cu∶Fe∶Ni为1∶2∶8 – 温度:50～55℃ – 时间:50min
第三章多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用 >根据正交设计法对配方选取六因素五水平的正交 试验表实验以电沉积速度和合金镀层光亮度为指柿 >NiFe合金镀层的外观采用目测评分方法来检测 其标准定为 >灰黑黑点)4-发灰(麻点不光亮(针孔较光亮7- 光亮8-准镜面9-镜面10 School of microelectronics and solid-State Electronics
School of Microelectronics and Solid-State Electronics 第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用 ➢根据正交设计法:对配方选取六因素五水平的正交 试验表,实验以电沉积速度和合金镀层光亮度为指标 。 ➢Ni—Fe合金镀层的外观采用目测评分方法来检测, 其标准定为: ➢灰黑(黑点)4-发灰(麻点)5-不光亮(针孔)6-较光亮7- 光亮8-准镜面9-镜面10
第三章多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用 F 列号硫酸镍硫酸亚 试 号 硼 温 T 电流密度镀速光亮度 H D11 (gl 铁 C酸 (g/l (A 5 3.3 123456789 1234 234 D度℃1234 值12345 1234 72 6 17 15 85 5869876 22233333 4 2345134 72 .75 ll0.1 0123456789012345 234 4455555 23451236 24512351234 4512512342345145123 32345 23445123345122345 1009 678 77 14 .7 65 55 23434512 94 67 65 08 12 09869078 25 5 School of microelectronics and Solid-State Electronics
School of Microelectronics and Solid-State Electronics 第三章 多指标问题及正交表在试验设计中的灵活运用 列号 试号 A 硫酸镍 (g/l) B 硫酸亚 铁 (g/l) C 硼酸 (g/l) D 温度T (℃) E pH值 F 电流密度J (A/dm2) 镀速 (mg/h) 光亮度 1 1 1 1 1 1 1 64.5 5 2 1 2 2 2 2 2 93.3 8 3 1 3 3 3 3 3 72.6 6 4 1 4 4 4 4 4 117.15 9 5 1 5 5 5 5 5 128.85 8 6 2 1 2 3 4 5 99 7 7 2 2 3 4 5 1 88.8 6 8 2 3 4 5 1 2 72.75 7 9 2 4 5 1 2 3 78.75 7 10 2 5 1 2 3 4 110.1 8 11 3 1 3 5 2 4 89.4 5 12 3 2 4 1 3 5 120 6 13 3 3 5 2 4 1 91.8 7 14 3 4 1 3 5 2 100.9 8 15 3 5 2 4 1 3 77.85 4 16 4 1 4 2 5 3 143.7 9 17 4 2 5 3 1 4 65.55 10 18 4 3 1 4 2 5 85.5 9 19 4 4 2 5 3 1 94.05 8 20 4 5 3 1 4 2 67.65 6 31 5 1 5 4 3 2 87 9 22 5 2 1 5 4 3 108 10 23 5 3 2 1 5 4 125.25 7 24 5 6 3 2 1 5 91.5 8 25 5 5 4 3 2 1 76.5 5