3.2半导体二极管和三极管的开关特性四、双极型三极管开关特性+Vco利用三极管的饱和与截Rc正两种状态，合理选择电路uo参数，可产生类似于开关的bRbO闭合和断开的效果，用于输uiiB出高、低电平，即开关工作状态。e三极管开关电路假定：UH-Vcc，UIL=0当ur=U时，三极管深度饱和，u。=UsEs=UoL_ 一 开关闭合1当u,=U时，三极管截止，一开关断开Uo=Vcc=UoH
3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 四、双极型三极管开关特性 利用三极管的饱和与截 止两种状态，合理选择电路 参数，可产生类似于开关的 闭合和断开的效果，用于输 出高、低电平，即开关工作 状态。 当uI =UIL时，三极管截止，uO =Vcc=UOH － 开关断开 假定：UIH=VCC ，UIL=0 当uI=UIH时，三极管深度饱和，uo =USEs=UOL － 开关闭合
3.2半导体二极管和三极管的开关特性3.2.3 MOS管的开关特性，MOS管结构MOS管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称。(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)由于只有多数载流子参与导电，故也称为单极型三极管11PsS增强型增强型DDNPN型三极管ss耗尽型耗尽型PMOS管电路符号NMOS管电路符号
MOS管是金属—氧化物—半导体场效应管的简称。 （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor） 由于只有多数载流子参与导电，故也称为单极型三极管。 3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 一、MOS管结构 3.2.3 MOS管的开关特性 NMOS管电路符号 PMOS管电路符号
3.2半导体二极管和三极管的开关特性MOS管开关特性+VDDRDD1SuiNMOS管的基本开关电路选择合适的电路参数，则可以保证开关闭合当ur=U时，MOS管导通，u。=0=UoL一开关断开当u,=U,时，MOS管截止，Uo=Vpp=UoH
3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 二、MOS管开关特性 NMOS管的基本开关电路 当uI =UIL时，MOS管截止，uO=VDD=UOH － 开关断开 当uI=UIH时，MOS管导通，uo=0=UOL － 开关闭合 选择合适的电路参数，则可以保证
3.3分立元件门电路二极管与门VD+Vcc(+5V)UAuyVDUBR导通导通OVOV0.7VVD1导通截止0.7V5VOV4Aoy截止导通0.7VOV5VVD2截止截止45VBo5V5VY-ABYBA000A一&001Y9BO001111
3.3 分立元件门电路 一、二极管与门 Y=AB
3.3分立元件门电路二极管或门VD,VD,UAuyUBVD1截止截止oVOVOVVB截止导通OV5V4.3VYVD2导通截止OV5V4.3VR导通导通5V4.3V5VY=A+BBYA000≥1A 001Y?0B o111
3.3 分立元件门电路 二、二极管或门 Y=A+B