3.2半导体二极管和三极管的开关特性3.2.1半导体二极管的开关特性，二极管伏安特性(mA反向击穿电压十UBRuD(V)00.5 0.7门坎电压Uth硅PN结伏安特性二极管的单向导电性：ip(mA)①外加正向电压（>Uth），二极管导通，导通压降约为0.7V；②外加反向电压，二极管截止。Up(V)0.7V
一、二极管伏安特性 3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 门坎电压Uth 反向击穿电压 二极管的单向导电性： ①外加正向电压（>Uth），二极 管导通，导通压降约为0.7V； ②外加反向电压，二极管截止。 uD(V) iD (mA) 0.7V 3.2.1 半导体二极管的开关特性
3.2半导体二极管和三极管的开关特性二、二极管开关特性cc利用二极管的单向导电性，相当于一个受外加电压R极性控制的开关Du0ouo二极管开关电路假定：U-Vcc，UL=0开关断开当ur=Ur时，D截止，u。=Vcc=UoH开关闭合当u,=UL时，D导通，U,=0. 7=UoL一一
利用二极管的单向导电 性，相当于一个受外加电压 极性控制的开关。 当uI =UIL时，D导通，uO =0.7=UOL －－－ 开关闭合 二、二极管开关特性 3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 假定：UIH=VCC ，UIL=0 当uI=UIH时，D截止，uo=VCC=UOH －－－ 开关断开
3.2半导体二极管和三极管的开关特性3.2.2双极型三极管的开关特性双极型三极管结构因有电子和空穴两种载流子参与导电过程故称为双极型三极管。集电极nN1基极bPN发射极(b)PNP型(a)NPN型
3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 一、双极型三极管结构 3.2.2 双极型三极管的开关特性 因有电子和空穴两种载流子参与导电过程， 故称为双极型三极管。 NPN型 PNP型
3.2半导体二极管和三极管的开关特性双极型三极管输入特性双极型三极管的应用中，通常是通过b，e间的电流i.控制c,e间的电流ic实现其电路功能的。因此，以b,e间的回路作为输入回路，c，e间的回路作为输出回路iB(μ A)Ke00.50.7UBE(V)硅料NPN型三极管输入特性曲线输入回路实质是一个PN结，其输入特性基本等同于二极管的伏安特性
3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 二、双极型三极管输入特性 双极型三极管的应用中，通常是通过b,e间的电流iB控制 c,e间的电流iC实现其电路功能的。因此，以b,e间的回路作为 输入回路，c,e间的回路作为输出回路。 输入回路实质是一个PN结，其输入特性基本等同于 二极管的伏安特性
3.2半导体二极管和三极管的开关特性三、双极型三极管输出特性i.(mA)饱和区ic放大区eiB-0mAUces硅料NPN型三极管Uce(V)截止区放大区：发射结正偏，集电结反偏；ube>ur，ubc<0；起放大作用。截止区：发射结、集电结均反偏，ubc<0V，ube<0V；一般地，ub<0.7V时，ip口OV，i.口OV；即认为三极管截止。饱和区：发射结、集电结均正偏；ube>Vr，ubc>Vr；深度饱和状态下，饱和压降UcEs约为0.3V
3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 三、双极型三极管输出特性 放大区：发射结正偏，集电结反偏；ube>uT， ubc<0；起放大作用。 截止区：发射结、集电结均反偏，ubc<0V，ube<0V；一般地，ube<0.7V时， ib 0V，ic 0V；即认为三极管截止。 饱和区：发射结、集电结均正偏； ube>VT， ubc>VT；深度饱和状态下， 饱和压降UCEs 约为0.3V