介质薄膜电击穿的分类 非本征击穿其击穿强度较低。 本征击穿是指材料自身特性所限制而发生的击 穿—击穿强度较高。 Table 6-2 Dielectric Breakdown Strengths for Ceramics and Glasses Material Form Thickness Temperature Breakdown field (cm) AlO3 Anodized film 3x10 99.5%Al2O3 Polycrystalline bulk 0.63 25 0.18 Alumina porcelain 0.63 High-voltag porcelain 063 0.15 Low-voltage porcelain Lead glass 0.25 he gla ate 6.5 Quartz crystal 0.005 6.0 Quartz fused TiO2(ll optic axis) 0.0l 0.02 (⊥ optic axIs) 0.12 BaTio Single crystal 002 0.040 Polycrystal 0.02 25 SrTiO3 Single cryst PbcrO 0016 PbZrO3 (10% porosity) 0016 0.033 N (muscovite crystal) 10.1 thin film SiN thin film 10 S:N (HI thit il Data from G. C. Walther and L, L. Hench, eds of Physics of Electronic Ceramics, Part A. Dekker. New York
介质薄膜电击穿的分类 • 非本征击穿——其击穿强度较低。 • 本征击穿是指材料自身特性所限制而发生的击 穿——击穿强度较高
关于氧化层击穿理论的发展 1.电子贡献的总能量而非单个电子的能量 2.热奔驰现象 3.电子和原子晶格之间的碰撞而产生的电 子倍增或雪崩现象。 4.阴极场发射电荷注入 5.可动电荷。 6.介质表面粗糙度引起的电场增大 7.由碰撞电离引发的内部电场畸变 8.界面态
关于氧化层击穿理论的发展 1. 电子贡献的总能量而非单个电子的能量。 2. 热奔驰现象。 3. 电子和原子晶格之间的碰撞而产生的电 子倍增或雪崩现象。 4. 阴极场发射电荷注入。 5. 可动电荷。 6. 介质表面粗糙度引起的电场增大。 7. 由碰撞电离引发的内部电场畸变。 8. 界面态