CMOS: Standard Metallization TITIN TIN, ARC TiS 补偿性超效应晶 Metal 1. Al-Cu 体管器件结构剖 面示意图 BPSG P- Well N-Well P-wafer 芯片多层互联线芯片互联结构实 结构剖面示意图 物照片 Passivation 2 Passivation 1 AlCu Allov Al-Cu USG Metal IMD 3 USG TiTIN TIN ARCI Metal 3 AI.Cu Allov Applications: Interconnection T IMD 2 USG Clobal USG Contant Sidewall BPSG Local Word interconnect P- Wafer
补偿性超效应晶 体管器件结构剖 面示意图 芯片多层互联线 结构剖面示意图 芯片互联结构实 物照片
双极型晶体管原理 ADD BORON ( B)TO GET P DOPED REGION UNBOUND ELECTRONS CURRENT FLOW ELECTRON FLOW 000.0 FORWARD BIASED JUNCTION ALLOWS CURRENT FLOW 000 DEPLETION REGION ABSENCE OF ELECTRONS OR"HOLES PHOSPHOROUS DOPIN ELECTRON FLOW CURRENT FLOW P-N JUNCTION REVERSE BIASED JUNCTION 电子材料与器件工艺一绪论
电子材料与器件工艺－绪论 7 双极型晶体管原理
双极型晶体管工艺 NPN Bipolar Transistor Emitter Base Collector Al Cu S 删影要败解 n n-ep Electron flo n buried laver P-substrate COLLECTOR
双极型晶体管工艺
双极型晶体管工作原理 E 放大条件: p 10W<<L b E B L 20发射结正偏 be 3集电结反偏 n型 型 n型 发射区(E)基区(B)集电区( 下 B BC o。ooo C
双极型晶体管工作原理 放大条件： 1 o Wb << Lnb 2 o 发射结正偏 3 o 集电结反偏 n + p n E B C Ie Ic Ib RE RL Vbe Vcb
MoS场效应晶体管原理(NMOS) Source 9 Conducting 9 Gate Oxide N 06668 he邮ml N- Channel Electron Channel Majority PType Substrate
MOS场效应晶体管原理（NMOS）