第5章半导体器件 51半导体的基本知识 52半导体二极管 53半导体三极管 54场效应晶体管 534
5.1 半导体的基本知识 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 5.4 场效应晶体管 第5章 半导体器件
51半导体的基本知识 半导体的导电特性 1.本征半导体 典型的半导体有硅S和锗Ge以及砷化镓Gu等 纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体。 半导体材料晶体 Ge和S原子的 的空间排列 简化模型 534
5.1 半导体的基本知识 一、 半导体的导电特性 1.本征半导体 半导体材料晶体 的空间排列 Ge和Si原子的 简化模型 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体
共价键 价电子 (0∈906 共价键 534
共价键
本征激发 +4 空穴 自由 电子 4 +4 +4 “ 束缚电子挣脱后,在共价键上留下的一个空位子,称为空穴。 电子空穴对一由热激发而产生的自由电子和空穴对。 534
本征激发 束缚电子挣脱后，在共价键上留下的一个空位子，称为空穴。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对
电子一空穴复合运动 半导体的导电特性 自由电子 +4 空穴 垂b ))(*)^)()●:◎:●:◎ o::●: +4 电流=自由电子定向运动+空穴定向运动 7300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n=p=14×1010cm3 本征硅的原子浓度:4.96×102/cm3 534
电子－空穴复合运动 半导体的导电特性 电流＝自由电子定向运动＋空穴定向运动 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3