4 由于热激发而 产生的自由电子 41●Q{+ 自由电子移走后 而留下的空穴 图3-1电子、空穴对的产生
由于热激发而 产生的自由电子 自由电子移走后 而留下的空穴 图3-1 电子、空穴对的产生
邻近电子只空位 留下可移动空穴 +3)Q(+4)· 可移动的空穴 杂质原电子接受一个 电子成为负离子 ●(+4 图3-2P型半导体的共价键结构
邻近电子只空位 留下可移动空穴 可移动的空穴 杂质原电子接受一个 电子成为负离子 图3-2 P型半导体的共价键结构
+4) +4 杂质原子提供 的多余电子 +51● 杂质原子失去一个 电子成为正离子 +4 +4 +4)● 图3-3N型半导体的共价键结构
杂质原子提供 的多余电子 杂质原子失去一个 电子成为正离子 图3-3 N型半导体的共价键结构
P型区 空间 电荷区 N型区 0○(A,⊕ 0⑨|⊙,,, 0QO|,⊕ 内电场 图3-4PN结的形成
P型区 空间 电荷区 N型区 内电场 图3-4 PN结的形成
F R 21 2 122 271 内电场 内电场 外电场 外电场 图3-5PN结加正向电压 图3-6PN结加反向电压
外电场 1 2 2 1 IF UF 1′2′ 2′ 1′ 内电场 外电场 2 1 1 2 IR UF 2′1′ 1′2′ 内电场 P N P N 图3-5 PN结加正向电压 图3-6 PN结加反向电压