(b）层间嵌入某些离子、原子或分子：已知的嵌入型化合物基质有百种以上，每一种都可以容纳许多种外来分子，例如石墨就可以容纳1.2万种外来分子和原子。Li,TiS(O<&1)一一良好的导电性，锂电池的电解质TiS，层形分子S原子间vandeWalls力结合，当把TiS，放入L蒸气中或浸泡在正丁基锂非极性溶液中，L可进入层间形成Li,TiS2(0<&1)
LiTiS2 (0<<1)——良好的导电性，锂电池的电解质 TiS2 层形分子S原子间van de Walls力结合, 当把TiS2 放入 Li蒸气中或浸泡在正丁基锂非极性溶液中，Li+可进入层间形 成LiTiS2 (0<<1) (b) 层间嵌入某些离子、原子或分子: 已知的嵌入型化合物基质有百种以上，每一种都可以容纳许 多种外来分子，例如石墨就可以容纳1.2万种外来分子和原子
(c）晶体中吸收了某些小原子：LaNiH氢可以和许多过渡金属形成可变组成的间隙型氢化物，由于这些金属氢化物可以可逆地分解，从而得到金属和氢气，因此是很好的储氢材料，它们的储氢量往往可以超过相同体积的液态氢
(c) 晶体中吸收了某些小原子: LaNi5Hx 氢可以和许多过渡金属形成可变组成的间隙型氢化物，由于这些金属氢化 物可以可逆地分解，从而得到金属和氢气，因此是很好的储氢材料，它们 的储氢量往往可以超过相同体积的液态氢
（2）三元插入化合物氧化物“青铜”，M.WO；M.V,O钨青铜和类似体钨青铜某些碱金属、碱土金属或铜、银、铊、铅、针、铀、氢、铵以及稀土元素等可以插入到WO结构中，形成三元插入化合物M.WO，通常称为钨青铜。XAX（a）钙钛矿（立方体）结构结构（b）四方结构（e）六方结构钨青铜化合物的4种基本结构（d）斜方结构
(2) 三元插入化合物 氧化物“青铜”，MWO3 ；MV2O5 钨青铜和类似体钨青铜 某些碱金属、碱土金属或铜、银、铊、铅、钍、铀、氢、 铵以及稀土元素等可以插入到WO3结构中，形成三元插入化合 物MWO3，通常称为钨青铜。 （d）斜方结构
钨青铜是一种含钨的非正比化合物，外貌似铜而具有化学惰性，通常呈立方晶体或四方晶体。不溶于水，也不溶于除氢氟酸以外所有的酸，但溶于碱性试剂。可用作一氧化碳氧化还原反应的催化剂和燃料电池中的除气剂
钨青铜是一种含钨的非正比化合物，外貌似铜而具有 化学惰性，通常呈立方晶体或四方晶体。不溶于水， 也不溶于除氢氟酸以外所有的酸，但溶于碱性试剂。 可用作一氧化碳氧化还原反应的催化剂和燃料电池中 的除气剂
2.2.2非正比化合物材料及其应用半导体材料10亿个正常粒子中有6个杂质粒子足以显著改变半导体的电学性质杂质原子改变了原半导体的能带结构发光材料将微量杂质元素掺入晶体中时，可能形成杂质置换缺陷，例如ZnS中掺进约10-4%（原子分数）的AgCl，Ag和CI分别占据Zn2+和S2-的位置，形成杂质缺陷。含有杂质Ag+置换Zn2+的ZnS晶体，在阴极射线激发下，发射波长为450nm的荧光，是彩色电视荧屏中的蓝色荧光粉
将微量杂质元素掺入晶体中时，可能形成杂质置换缺陷， 例如ZnS中掺进约10-4%（原子分数）的AgCl，Ag和Cl-分别占据Zn2+和S 2-的位 置，形成杂质缺陷。 含有杂质Ag+置换Zn2+的ZnS晶体，在阴极射线激发下，发射波长为450nm的荧 光，是彩色电视荧屏中的蓝色荧光粉。 发光材料 半导体材料 10亿个正常粒子中有6个杂质粒子足以显著改变半导体的电学性质 杂质原子改变了原半导体的能带结构 2.2.2 非正比化合物材料及其应用