5.2SEM的像衬度原理及其应用 图5-9Ge38Pgl3晶体颗粒 (a)二次电子像，(b)背散射电子像
5.2 SEM的像衬度原理及其应用 图5-9 Ge38P8 I8晶体颗粒 （a）二次电子像，（b）背散射电子像
5.2SEM的像衬度原理及其应用 样品形貌对入射电子束激发区域的影响，也是与二次电子 发射有关的另二重要因素。当入射电子束激发体积靠近， 食至暴露宇表层，对图50所示，薇发体粕内产生的天量 自由电子离开表层的机会就多。，因此，样品表面尖棱 (A)、小粒子(B)、坑穴边缘(C和D)等部位，在电 子束作用下产生比样品其余部位高得多的二次电子信号强 度，所以在扫描像上这些部位显示异常亮的衬度，如图5- 11所示
5.2 SEM的像衬度原理及其应用 样品形貌对入射电子束激发区域的影响，也是与二次电子 发射有关的另一重要因素。当入射电子束激发体积靠近， 甚至暴露于表层，如图5-10所示，激发体积内产生的大量 自由电子离开表层的机会就多。因此，样品表面尖棱 （A）、小粒子（B）、坑穴边缘（C和D）等部位，在电 子束作用下产生比样品其余部位高得多的二次电子信号强 度，所以在扫描像上这些部位显示异常亮的衬度，如图5- 11所示
5.2SEM的像衬度原理及其应用 18=200kU155E3016694--cMc- 图5-11铝基碳纤维复合材料断口形貌
5.2 SEM的像衬度原理及其应用 图5-11 铝基碳纤维复合材料断口形貌
5.2SEM的像衬度原理及其应用 图经Q-T和Q-P-T处理后Fe-0.2C和Fe-0.4C试样室温拉伸断口的SEM像 (a)Fe-0.2CQ-T,(b)Fe-0.2C Q-P-T (c)Fe-0.4C Q-T,(d)Fe-0.4C Q-P-T
5.2 SEM的像衬度原理及其应用 图 经Q-T和Q-P-T处理后Fe-0.2C和Fe-0.4C试样室温拉伸断口的SEM像 (a)Fe-0.2CQ-T, (b) Fe-0.2C Q-P-T (c) Fe-0.4C Q-T, (d) Fe-0.4C Q-P-T
5.2SEM的像衬度原理及其应用 5.2.2表面形貌衬度改善的电子减速技术 入射束流（速电压：Var) 物领 减速电适Vd 减地提 着陆电压V) 样品
5.2 SEM的像衬度原理及其应用 5.2.2 表面形貌衬度改善的电子减速技术