玉学)仁壁器」 2.1.3放大模式下三极管的模型 >数学模型(指数模型) 三极管的正向受控作用,服从指数函数关系式 BE BE l≈alE=alps(eh-1)≈le 式中:Is= dl 指发射结反向饱和电流lBs转化到集电极上的电 流值,它不同于二极管的反向饱和电流/
三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式： 2.1.3 放大模式下三极管的模型 ➢ 数学模型（指数模型） T B E T B E (e 1) e E EBS S V V V V C I I =I − I IS指发射结反向饱和电流IEBS转化到集电极上的电 流值，它不同于二极管的反向饱和电流IS。 S EBS 式中： I = I
玉学)仁壁器」 放大模式直流简化电路模型 共发射极 电路模型直流简化电路模型 c OC B C B BO BE BE(on) EO OE E OE E E BE(on 为发射结导通电压,工程上一般取 硅管v BE(on) 0.7V 锗管v BE(on 0.25V
➢ 放大模式直流简化电路模型 电路模型 VBE + - E B C E IB IC IB E C B E T IC IB 共发射极 直流简化电路模型 VBE(on) E B C E IB IC IB + - VBE(on)为发射结导通电压，工程上一般取： 硅管VBE(on)= 0.7V 锗管VBE(on)= 0.25V
玉学)仁壁器」 ☆三极管参数的温度特性 树口温度每升高C,△B/B增大(0.5~1)%,即: m7N(0.005~001)/°C 口温度每升高1°C,WBEm减小(2~2.5)mV,即: △ BE(on) (2~25)m/°C △T 口温度每升高10°C,ICBo增大一倍,即: 12-71 CBo(T2)=lCco(71)×210
❖ 三极管参数的温度特性 ❑ 温度每升高1C，∆ / 增大（0.5 1）%，即： ❑ 温度每升高1 C ，VBE(on) 减小（2 2.5）mV,即： ❑ 温度每升高10 C ，ICBO 增大一倍，即： 1 0 CBO 2 CBO 1 2 1 ( ) ( ) 2 T T I T I T − = = (0.005 T 0.01) /C (2 BE(on) = − T V 2.5)mV /C
玉学)轳仁壁笪壟效器 2.2晶体三极管的其它工作模式 2.2.1饱和模式(E结正偏,C结正偏) EF RIR IC- IR RR R R 结论:三极管失去正向受控作用。 区园
N P N + V1 V2 R1 R2 2.2 晶体三极管的其它工作模式 2.2.1 饱和模式 ( E结正偏，C结正偏) - + IF FIF + - R IR IR IE= IF-RIR IC IC= F IF - IR IE 结论：三极管失去正向受控作用
玉学)仁壁器」 饱和模式直流简化电路模型 时共发射极电路模里直流简化电路模型 B C B B BO O C B BE CE(sat) BE(OI CE(sat) EO E E oEE E 通常,饱和压降CEa0 硅管 CE(sat) ≈03V 锗管 VCE(Sat≈0.V 若忽略饱和压降,三极管输出端近似短路。 即三极管工作于饱和模式时,相当于开关闭合。 区园
➢ 饱和模式直流简化电路模型 E C B E T IC IB 共发射极 通常，饱和压降VCE(sat) 硅管VCE(sat) 0.3V 锗管VCE(sat) 0.1V 电路模型 VBE + - E B C E IB IC + - VCE(sat) 直流简化电路模型 VBE(on) E B C E IB IC + - + - VCE(sat) 若忽略饱和压降，三极管输出端近似短路。 即三极管工作于饱和模式时，相当于开关闭合