拟电子彼求 第2章半导体三极管 22单极型半导体 极管 引言 221oS场效应管 2结型场效应管 场效应管的三要参数
2.2 单极型半导体 三极管 引 言 2.2.2 结型场效应管 2.2.3 场效应管的主要参数 2.2.1 MOS 场效应管 第 2 章 半导体三极管
拟电子彼求 第2章半导体三极管 言 场效应管FET( Field effect transistor) 类型: 结型JFET( Junction field effect transistor) 绝缘栅型 IGFET( Insulated gate fet) 特点: 1.单极性器件(一种载流子导电) 2.输入电阻高(107~1015g2, IGFET可高达1015g) 3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低
引 言 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 类型： 结型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET) 特点： 1. 单极性器件(一种载流子导电) 3. 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低 2. 输入电阻高(107 1015 ，IGFET 可高达 1015 ) 第 2 章 半导体三极管
拟电子彼求 第2章半导体三极管 MOSFET结构 221MOS场效应管 增强型N沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi-FET) 1.结构与符号 SI GI D 淚极Soc AD 在绝 喷金 耗尽层/P烈衬底 B (掺杂浓度低) 属铝考糖祝极受 =漏极 raim G B S
一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 2.2.1 MOS 场效应管 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一 层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金 属铝引出栅极 G B 耗尽层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B MOSFET结构 第 2 章 半导体三极管
拟电子彼求 第2章半导体三极管 GG 2.工作原理 SGSIG D N P型针底 TB反型展 1)ucs对导电沟道的影响(uns=0) a.当Ues=0,DS间为两个背对背的PN结; b.当0<U<U(m)(开启电压)时,GB间的垂直电 场吸引P区中电子形成离子区(耗尽层) Ulcs≥U6 GS GS(th) 时,衬底中电子被吸引到表面,形 成导电沟道。us越大沟道越厚
2. 工作原理 1)uGS对导电沟道的影响 (uDS = 0) a. 当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背的 PN 结； b. 当 0 < UGS < UGS(th)(开启电压)时，GB 间的垂直电 场吸引 P 区中电子形成离子区(耗尽层)； c. 当 uGS UGS(th) 时，衬底中电子被吸引到表面，形 成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。 反型层 (沟道) 第 2 章 半导体三极管
拟电子彼求 第2章半导体三极管 MOS工作原理 2)uDs对i的影响(uos>Us(m) GG VDD DS间的电位差使 s"esb沟道呈楔形,lns↑, 靠近漏极端的沟道厚 P型行底 度变薄 B 预夹断(UcD=Us(m):漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前:uD5↑iD↑ 预夹断发生之后:WDs↑i不变
2) uDS 对 iD的影响(uGS > UGS(th)) DS 间的电位差使 沟道呈楔形，uDS， 靠近漏极端的沟道厚 度变薄。 预夹断(UGD = UGS(th) )：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS iD。 预夹断发生之后：uDS iD 不变。 MOS工作原理 第 2 章 半导体三极管