拟电子彼求 第2章 导你吕智 2双奶型半导体三极管 2.1晶体三极管 2晶体三极管的性曲线 量晶体二权管的要参数一
半导体三极管 第 2 章 2.1 双极型半导体三极管 2.1.1 晶体三极管 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 2.1.3 晶体三极管的主要参数
拟电子彼求 第2章半导体三极管 211晶体三极管( Semiconductor Transistor) 结构、符号和分类 collector 集电极C 分类: 集电区 C 按材料分: 集电结 基极B°P」一基区B 硅管、锗管 按结构分 base N 发射结 P 发射区 NPN、PNP 发射极E E按使用频率分 emitter 低频管、高频管 按功率分: B BK小功率管<500mW NPN型EPNP型E中功率管05~1W 大功率管>1W
(Semiconductor Transistor) 第 2 章 半导体三极管 2.1.1 晶体三极管 一、结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W E C B E C B
拟电子彼求 第2章半导体三极管 电流放大原理 1.三极管放大的条件 条件{基区薄且掺杂浓度低处部(发射结正偏 集电结面积大 条件{集电结反偏 2.满足放大条件的三种电路 E B B B E 共基极 共发射极 共集电极 实现电路 十 十 d
二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo E C B E C B ui uo E C B ui uo 共基极 共发射极 共集电极 实现电路 ui uo RB RC u uo i RC RE 第 2 章 半导体三极管
拟电子彼求 第2章半导体三极管 3.三极管内部载流子的传输过程三极管内载流子运动 C )发射区向基区注入多子电子, CBO CN形成发射极电流l l(基囟茔到达制因派度低而忽略) IB 多数向BC结方向扩散形成lN B 少数与空穴复合,形成IBN R d基区空基极电源提供(B 穴来源集电区少子漂移( CBO/- BB E E 即:IBN≈lB+l CBO IB=lBN-ICBO 3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流Ic C Ion+ CBO
3. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， I CN 形成发射极电流IE。 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB 即： IBN IB + ICBO IB = IBN – ICBO 3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流IC IC I C = ICN + ICBO (2基区空穴运动因浓度低而忽略 )电子到达基区后 ) 三极管内载流子运动 第 2 章 半导体三极管
拟电子彼求 第2章半导体三极管 4.三极管的电流分配关系 B-1BN一LCBO C Ioo+ CN CBO 当管子制成后,发射区载流子浓度、基区宽度、集 电结面积等确定,故电流的比例关系确定,即 B C-CN CBO BN B+IO CBO lc=BlB+(1+B)lCBo=BlB+lCo穿透电流 A =c+ E B ≈Ic+1B Ic=lb+I cEO Ic=BIB IE=(+B)IB+IcEO TE=(1+B)IB
4. 三极管的电流分配关系 当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集 电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： IB = I BN − ICBO IC = ICN + ICBO BN CN I I = C B CBO B CEO I = I +(1+ )I = I + I IE = IC + IB 穿透电流 C B CEO I = I + I I E = I C + I B C B I = I E B I = (1+ ) I E B CEO I = (1+ ) I + I B CBO C CBO I I I I + − = 第 2 章 半导体三极管